【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种MEMS娃晶圆片划片切割和结构释放方法,属于微机电系统微细加工和晶圆划片和切割方法。
技术介绍
微机电系统(MEMS,Micro-electromechanical Systems)是一种基于微电子技术和微加工技术的一种高科技领域。MEMS技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。MEMS器件具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。MEMS技术的发展开辟了一个全新的
和产业，采用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事，物联网以及其他领域中都有着十分广阔的应用前景。在MEMS器件的制造工艺中，很多复杂的三维或支撑结构都采用牺牲层释放工艺。即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用刻蚀剂或蚀刻工艺气体将此层薄膜蚀刻掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层(...
【技术保护点】
一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：贴UV膜,在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；对硅晶圆片正面进行涂胶保护；步骤2：第一次划片，将贴UV膜的硅晶圆片正面朝上放置在划片机的划片台上，根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40～55%；设置划片刀的进刀速度小于10毫米/秒；设置硅晶圆片的划片切割参数，对硅晶圆片进行对位操作，进行第一次划片；步骤3：第二次划片，全划透时，设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片厚度或划片刀的刀高为UV膜厚度；半划透时，设置第二次划片的刀高为所述硅晶圆片需要...
【技术特征摘要】
1.一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1:贴UV膜，在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；对硅晶圆片正面进行涂胶保护； 步骤2:第一次划片，将贴UV膜的硅晶圆片正面朝上放置在划片机的划片台上，根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40 55% ;设置划片刀的进刀速度小于10毫米/秒；设置硅晶圆片的划片切割参数，对硅晶圆片进行对位操作，进行第一次划片； 步骤3:第二次划片，全划透时，设置第二次划片的厚度为所述硅晶圆片厚度或划片刀的刀高为UV膜厚度；半划透时，设置第二次划片的刀高为所述硅晶圆片需要保留的残留硅厚度加UV膜厚度，进行第二次划片； 步骤4:划片后，对硅晶圆片进行划片后的清洗和甩干； 步骤5:消除UV粘性，对划片后的硅晶圆片的背面粘贴的UV膜进行照射2 10分钟，消除UV膜粘性的80% 90% ； 步骤6:湿法去胶，对半划透的硅晶圆片，揭下硅晶圆片背面的UV膜后，放置在设有滤孔的托盘内；对全划透的硅晶圆片，在UV膜上拾取芯片放在设有滤孔的托盘格子内；再将托盘放入去胶液中去胶； 步骤7:去胶后，脱液和脱水，将放置硅晶圆片或芯片的托盘浸入异丙醇(IPA)溶液中脱液和脱水； 步骤8:结构释放，将放置硅晶圆片或芯片的托盘放在结构释放设备的工艺腔体中，进行结构释放。2.根据权利要求1所述 一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，其特征在于，还包括步骤9:对半划片处理的硅晶圆片，在结构释放后，对硅晶圆片的每个芯片进行电学测试； 步骤10:测试结束后，对于半划片处理的硅晶圆片进行背面第二次贴膜，再按照划片痕迹X或Y方向用手从硅晶圆片背面贴膜处把硅晶圆片顶裂开，从背面用塑料滚轮轻滚，确保所有的芯片完全分开； 步骤11:对步骤10处理后的硅晶圆片进行扩晶处理，使芯片向四周...
【专利技术属性】
技术研发人员：甘先锋，杨水长，王宏臣，孙瑞山，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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