【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，尤其涉及一种可用于电化学微纳米整平加工的高面形精度的大面积平面碳膜电极的制备方法。
技术介绍
半导体和光学领域的快速发展要求电子和光学器件具有更小的尺寸和更高的表面质量，这就需要相应的制造技术能够达到微米、亚微米以及纳米水平的特征工作尺度。多年来，为突破传统机械加工的局限和极限，人们提出了许多不同的材料去除原理，并将之应用于发展微纳加工新技术；迄今，主要的非传统机械微纳加工新技术有能量束(laser，ionbeam, electron beam, and X-Ray)、扫描探针显微(Scanning Probe Microscopes, SPM)、约束刻蚀层技术(Confined Etchant Layer Technique, CELT)等。从工业制造角度来看,基于电化学刻蚀原理的微纳加工方法具有过程简单和低成本等显著优点，是最有发展前景的技术之一。现有的各种电化学刻蚀加工技术原理上可分为直接和间接电化学刻蚀两大类。前者以工件为电化学阳极，以工具电极为阴极，在电解溶液中，通过控制工作条件，使工件表面发生局域性的电化学阳极溶解反应，目前最高可实现...
【技术保护点】
一种平面碳膜电极的制备方法,首先将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，然后在一定压力的惰性气体的保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成高面型精度的平面碳膜，最后用树脂封装制成大面积平面碳膜电极。
【技术特征摘要】
1.一种平面碳膜电极的制备方法，首先将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，然后在一定压力的惰性气体的保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成高面型精度的平面碳膜，最后用树脂封装制成大面积平面碳膜电极。2.如权利要求1所述的一种平面碳膜电极的制备方法，包括如下步骤: I)基体前处理:将表面粗糙度小于500nm的导电基体裁切到所需的大小和形状，通过浸酸除去其表面氧化层后，依次采用有机溶剂和超纯水超声清洗； 2 )光刻胶旋涂:使用匀胶机将光刻胶旋涂在导电基体上，调节匀胶转速和匀胶时间，使光刻胶的厚度为2 IOOym ; 3)程序升温加热:将涂胶后的基体水平放入加热电炉炉腔内，并保持其水平状态；向炉腔内通入惰性气体，20min 60min后，开始程序升温加热，以去除光刻胶中的溶剂，以及使光刻胶在导电基体表 面充分流动以形成高面形精度的平面，保持炉腔内惰性气体压力为1 20atm ;随后在最高碳化温度下,保持60min 120min,直至光刻胶完全碳化；仍在惰性气体保护下冷却至室温，即制得高面形精度的平面碳膜； 4)电极封装:将步骤3)制得的平面碳膜与导线进行导电连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：王成，时康，康仁科，田中群，杨永学，单坤，张红万，周剑章，周平，詹东平，张艺程，
申请(专利权)人：厦门大学，大连理工大学，
类型：发明
国别省市：
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