【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳加工领域，特别是一种制作微机电系统(MEMS)的深硅刻蚀方法。
技术介绍
微纳图形加工技术，是制作所有芯片的重要手段，所以世界各国都很重视它的应用与发展。近年来，随着各类电子产品的升级换代，对微纳图形加工技术提出了更高要求，特别是对干法刻蚀的线宽和深度提出了更新的要求(毫米级)。目前深硅刻蚀方法有两种1)刻蚀和侧壁保护循环交替进行，经多次循环交替刻蚀实现深硅刻蚀的目的。这种深硅刻蚀方法应用比较广泛。缺点侧壁和刻蚀表面有花纹不光滑，刻蚀和保护垂直性难以控制，保护过头了，刻蚀速率变慢，保护不够侧向刻蚀垂直度不好。2)冷冻刻蚀法，使用刻蚀的气体是SF6,硅片背面用液氮冷却，只有刻蚀一步就实现了垂直深硅刻蚀。这种方法的优点是垂直刻蚀易控制，刻蚀速率也比较快。缺点是冷却比较繁琐，成本比较高，所以至今这种方法没有用起来。
技术实现思路
本专利技术为了提高刻蚀速率和效果，并减少成本，提供。本专利技术采用的技术方案是提供，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻...
【技术保护点】
一种控温深硅刻蚀方法，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括：正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻蚀机的多处冷却并采用低温冷却液作为循环冷却液，从而获得低温，并且所述各向异性刻蚀步骤和各向同性淀积步骤交替循环刻蚀是在刻蚀机的等离子体刻蚀室的低温条件下完成的。
【技术特征摘要】
1.一种控温深硅刻蚀方法，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括:正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻蚀机的多处冷却并采用低温冷却液作为循环冷却液，从而获得低温，并且所述各向异性刻蚀步骤和各向同性淀积步骤交替循环刻蚀是在刻蚀机的等离子体刻蚀室的低温条件下完成的。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀室的低温是0-7°C。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀机包括:主机、射频电源柜、电控柜、气柜、循环冷却机、计算机及操作台；其中主机的核心部件是等离子体源，它是由平面变距螺旋型电感线圈与高频陶瓷介质组成一体，所述陶瓷介质下面是等离子体刻蚀室；在感应耦合等离子体电极(上电极)与射频电极(下电极)之间安装环形气体流量分配器。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀机的多处冷却是在射频电极、刻蚀室侧壁、刻蚀气路管道设置冷却管路。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述冷却管路中循环的是低温冷却液。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述低温冷却液采用的是乙二...
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