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本发明提供一种控温深硅刻蚀方法，用于感应耦合等离子体刻蚀机，该方法包括：正性光刻胶图形制作步骤，各向异性刻蚀步骤，各向同性淀积步骤，去除光刻胶步骤；其特征在于，该方法采用在所述刻蚀机的多处冷却并采用低温冷却液作为循环冷却液，从而获得低温，并...
该专利属于林红所有，仅供学习研究参考，未经过林红授权不得商用。

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