一种干法刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种干法刻蚀装置，其包括反应室（1），以及设置于所述反应室（1）下侧的排气装置（2）；所述反应室（1）包括互相密封连接的上腔室（11）和下腔室（12）；所述上腔室（11）内设置上电极（111），所述下腔室（12）内设置下电极（121）；所述上腔室（11）内还设有绝缘材料制成的整流壁（112），所述整流壁（112）环绕于所述上电极（111）以及下电极（121）之间的等离子体（13）周围，所述整流壁（112）的下端与所述下电极（121）具有间隙。该刻蚀装置解决了现有刻蚀装置受气流分布影响导致的中间区域刻蚀速率快，边缘区域刻蚀速率低，刻蚀均一性差的技术问题。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种干法刻蚀装置，其包括?反应室（1），以及设置于所述反应室（1）下侧的排气装置（2）；?所述反应室（1）包括互相密封连接的上腔室（11）和下腔室（12）；?所述上腔室（11）内设置上电极（111），所述下腔室（12）内设置下电极（121）；其特征在于：?所述上腔室（11）内还设有绝缘材料制成的整流壁（112），所述整流壁（112）环绕于所述上电极（111）和所述下电极（121）之间的等离子体（13）周围，所述整流壁（112）的下端与所述下电极（121）具有间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王冰，邱勇，施露，刘军，金波，
申请(专利权)人：昆山维信诺显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：