【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及一种应用于光通信器件、激光显示和光束扫描等领域的MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法。
技术介绍
随着光纤通信的迅速发展,智能全光网络(Automatic Switched OpticalNetwork, AS0N)成为光通信网络的发展趋势。在ASON系统中,为了实现智能全光信号的交换控制,必须对网络中传输的光信号直接进行动态控制与监测。而实现对光信号的直接动态控制的核心器件就是各种微电子机械系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)微镜面驱动器。由于MEMS微镜面驱动器具有低成本、高可靠性、小型化、易于维护等优势,正得到越来越多的研究和重视。MEMS微镜面驱动器广泛应用于光开关(Optical Switch),光衰减器(Optical Attenuator)、可调滤波器(Tunable Optical Filter)及波长选择开关(Wavelength Selective Switch)等核心光网络器件,因此MEMS微镜面驱动器在ASON的发展中将发挥关键作用。同时,MEMS ...
【技术保护点】
一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法,其特征在于,包括:提供具有双层硅器件层的SOI硅结构,包括第一衬底层、第一埋层氧化层、第一硅器件层、中间绝缘层、第二硅器件层、第二埋层氧化层、以及第二衬底层;在所述第一衬底层的表面制作具有对准标记的第一划片图形;去除所述第二衬底层直至显露出所述第二埋层氧化层;在所述第二埋层氧化层上制作包括所述第二埋层氧化层在内、厚度不等的双层掩膜,图形化所述双层掩膜显露出第二硅器件层;利用所述双层掩膜,采用刻蚀工艺制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构;提供具有第三衬底层的双抛硅片,将所述双抛硅片与所述SOI硅结构进行硅硅键合,所述双抛硅片的 ...
【技术特征摘要】
1.一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法,其特征在于,包括: 提供具有双层娃器件层的SOI娃结构,包括第一衬底层、第一埋层氧化层、第一娃器件层、中间绝缘层、第二硅器件层、第二埋层氧化层、以及第二衬底层; 在所述第一衬底层的表面制作具有对准标记的第一划片图形;去除所述第二衬底层直至显露出所述第二埋层氧化层; 在所述第二埋层氧化层上制作包括所述第二埋层氧化层在内、厚度不等的双层掩膜,图形化所述双层掩膜显露出第二硅器件层; 利用所述双层掩膜,采用刻蚀工艺制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构;提供具有第三衬底层的双抛硅片,将所述双抛硅片与所述SOI硅结构进行硅硅键合,所述双抛硅片的键合面具有作为垂直梳齿结构的释放空间;在所述双抛硅片的远离所述键合面的第三衬底层的表面制作具有对准标记的第二划片图形; 去除所述SOI硅结构上的所述第一衬底层并显露出所述第一埋层氧化层; 图形化所述第一埋层氧化层; 以图形化后的所述第一埋层氧化层作为掩膜,刻蚀显露出的所述第一硅器件层并显露出位于所述第一硅器件层之下的所述中间绝缘层,释放可动梳齿结构、可动微镜面结构和固定梳齿结构,并显露出固定梳齿结构的引线区域; 去除所述第一埋层氧化层和显露的所述引线区域处的中间绝缘层; 在所述微镜面区域和所述引线区域形成薄膜金属层。2.按权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述SOI硅结构是采用具有双层硅器件层的三层硅结构的单个SOI硅片制作的。3.按权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述SOI硅结构是由两个SOI...
【专利技术属性】
技术研发人员:李四华,吴亚明,徐静,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。