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本发明涉及一种MEMS硅晶圆片划片切割和结构释放方法，包括以下步骤：在MEMS硅晶圆片背面贴UV膜；根据硅晶圆片厚度，设置硅晶圆片的第一次划片的厚度或划片刀的刀高；第一次划片的厚度为硅晶圆片厚度的40～55%；设置第二次划片的厚度为所述硅晶...
该专利属于烟台睿创微纳技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过烟台睿创微纳技术有限公司授权不得商用。

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