微电场梯度结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微电场梯度结构及其制备方法，该微电场梯度结构由电阻基体、电阻基体表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于电阻基体的间隔一定间距的聚合物II薄片阵列、附着在薄片表面并与电阻基体相连的导电层组成。其制备方法包括以下步骤：（1）在电阻基体表面制备一层聚合物II；（2）采用刻蚀或压印的方式形成聚合物II的薄片阵列；（3）在薄片阵列表面沉积导电层，并使得导电层与电阻基体紧密连接；（4）在薄片阵列之间填充聚合物I；（5）打磨表面的聚合物I，露出导电层，即获得可形成微电场梯度的结构。本发明专利技术结构新颖，制备简单，可在生物、光学、光电、信息等领域获得应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
微电场梯度结构，其特征是，所述微电场梯度结构包括电阻基体、电阻基体表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于电阻基体的间隔一定间距的聚合物II薄片阵列以及附着在薄片表面并与电阻基体相连的导电层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：葛海雄，陈延峰，袁长胜，卢明辉，
申请(专利权)人：无锡英普林纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：