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本发明公开了一种微电场梯度结构及其制备方法，该微电场梯度结构由电阻基体、电阻基体表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于电阻基体的间隔一定间距的聚合物II薄片阵列、附着在薄片表面并与电阻基体相连的导电层组成。其制备方法包括以下步骤：（1）在电...
该专利属于无锡英普林纳米科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡英普林纳米科技有限公司授权不得商用。

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