一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明专利技术具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种MEMS器件，由硅盖帽（12）、硅结构层（15）和硅衬底（10）经硅硅直接键合后组成，硅结构层（15）中设有可动结构，其特征在于：硅结构层（15）采用可作为导体的低阻硅片，并且直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5）以及压焊区（4），硅盖帽（12）中设置的引线通孔（13）与压焊区（4）相对应，并在压焊区（4）上溅射铝电极（14）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何凯旋，郭群英，陈博，王鹏，汪祖民，王文婧，黄斌，陈璞，徐栋，吕东锋，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：