压力调控薄膜晶体管及其应用制造技术

一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与该源极间隔设置的漏极；一半导体层，该半导体层与所述源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述绝缘层为一高分子材料层，该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力，该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化，所述栅极电容与该厚度成反比，所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。本发明专利技术还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管的压力感应装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压力调控薄膜晶体管及其应用。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)是现代微电子技术中的一种关键性电子元件，目前已经被广泛应用于平板显示器等领域。薄膜晶体管主要包括基板，以及设置在基板上的栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极。其中，栅极通过绝缘层与半导体层间隔设置，源极和漏极间隔设置并与半导体层电连接。薄膜晶体管中的栅极、源极、漏极均为导电材料构成，该导电材料一般为金属或合金。当在栅极上施 加电压时，与栅极通过绝缘层间隔设置的半导体层中会积累载流子，当载流子积累到一定程度，与半导体层电连接的源极和漏极之间将导通，从而有电流从源极流向漏极。然而，上述薄膜晶体管的各项参数(如源极与漏极之间的电流、栅极电容等)为固定值，具有参数不可调控的缺点，限制了其的广泛应用。颜黄苹等人(请参见颜黄苹等，MOS场效应管压力微传感器.传感器技术，20 (5)，2001)提出了压力调控的MOS场效应管，S卩，MOS场效应管的参数(如源极与漏极之间的电流、栅极电容等)可通过压力调控。颜黄苹等人提出的压力调控MOS场效应管中，将栅极与氧化层分离形成的空气膜和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与该源极间隔设置的漏极；一半导体层，该半导体层与所述源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述绝缘层为一高分子材料层，该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力，该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化，所述栅极电容与该厚度成反比，所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡春华，刘长洪，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：