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一种压力调控薄膜晶体管,其包括:一源极;一与该源极间隔设置的漏极;一半导体层,该半导体层与所述源极和漏极电连接;以及一栅极,该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置;其中,所述绝缘层为一高分子材料层,该高分子材料层的弹性模量为0...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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一种压力调控薄膜晶体管,其包括:一源极;一与该源极间隔设置的漏极;一半导体层,该半导体层与所述源极和漏极电连接;以及一栅极,该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置;其中,所述绝缘层为一高分子材料层,该高分子材料层的弹性模量为0...