一种SiC肖特基二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P--SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明专利技术在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低了器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度，同时避免了界面电荷对器件击穿电压的影响，有利于提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种具有浮空金属环及场板结合结终端延伸结构的SiC肖特基二极管及其制作方法。
技术介绍
宽禁带半导体一般指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等禁带宽度在3. OeV左右及其以上者。与Si材料相比，这些材料具有较宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率等优点，是制备电力电子器件的优选材料。其中，利用SiC材料制备的肖特基二极管属于多数载流子器件，该结构的特点是无额外载流子的注入和储存、开关速度快、开关损耗小，可以广泛应用于电动汽车/混合动力车等需进行功率转换的逆变器、转换器、PFC 电路，以及太阳能、风能等新能源中的整流、逆变等领域。在电力电子器件的设计和制备中，为了降低结边缘电场，提高器件的实际击穿电压，各种结终端技术在电力电子器件的结构中得到了广泛的应用，主要包括场板(FP)、场限环(FLR)、结终端延伸(JTE)等结构。其中，结终端延伸结构在SiC电力电子器件的制备中具有非常广泛的应用，其形式主要包括单区结终端延伸和多区结终端延伸等结构。在单区结终端延伸的应用中，器件的击穿电压对JTE区的载流子浓度非常敏感，即JTE区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC肖特基二极管，其特征在于，该SiC肖特基二极管包括：N+?SiC衬底；形成于该N+?SiC衬底之上的N??SiC外延层；形成于该N??SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P??SiC区域环，该P??SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P??SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+?SiC衬底背面的N型欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：白云，刘可安，申华军，汤益丹，王弋宇，韩林超，刘新宇，李诚瞻，史晶晶，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，株洲南车时代电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：