温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--...该专利属于中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司授权不得商用。