本发明专利技术公开了一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；所述器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，第二阳极位于第一阳极内，第二阳极与第一阳极在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极的面积小于第一阳极。本发明专利技术在第二阳极上施加一个很小的电流，所得到的电流密度等同于整个器件在施加额定电流下的电流密度，能够实现功率二极管器件正向特性的精确测试，从而降低了器件的自发热效应出现，并且降低了器件评价对于测试设备功率能力的需求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件结构，具体涉及一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构。
技术介绍
功率半导体器件是不断发展的功率-电子系统的内在驱动力，尤其是在节约能源、动态控制、噪音减少等方面。功率半导体主要应用于对能源与负载之间的能量进行控制，并且应当拥有精度高、速度快和功耗低的特点。功率半导体器件也逐渐向大电压、大电流，甚至超大电压(几千、上万伏)、超大电流(几百、上千安培)领域逐渐发展，这就需要对大电压、大电流的功率半导体器件进行精确测试评价。但是，由于大电压大电流、下器件的自发热，会导致测试结果的不准确。而测试设备的测试能力跟不上器件的发展，也不能测试这种大功率器件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，它可以提高功率二极管器件的正向特性测试精度。为解决上述技术问题，本专利技术能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构的技术解决方案为包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；所述器件的阴极由器件背面引出， 器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，第二阳极位于第一阳极内，第二阳极与第一阳极在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极的面积小于第一阳极。 所述第二阳极的面积小于第一阳极至少一个数量级。所述第二阳极位于第一阳极内的任何位置。所述第二阳极是独立的一个或者是相互并联的多个。所述第二阳极是方形、矩形或者圆形。本专利技术可以达到的技术效果是本专利技术在第二阳极上施加一个很小的电流，所得到的电流密度等同于整个器件在施加额定电流下的电流密度，能够实现功率二极管器件正向特性的精确测试，从而降低了器件的自发热效应出现，并且降低了器件评价对于测试设备功率能力的需求。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是本专利技术能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构的示意图2是本专利技术的第二阳极与第一阳极的相对位置的第一实施例的示意图3是本专利技术的第二阳极与第一阳极的相对位置的第二实施例的示意图4是本专利技术的第二阳极与第一阳极的相对位置的第三实施例的示意图。图中附图标记说明100为元胞，200为终端区，10为衬底，20为外延区，31为第一阳极，32为第二阳极。具体实施方式·如图1所示，本专利技术能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞100、终端区200，终端区200设置于元胞100的外围；器件阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底10，衬底10的上方有外延区 20，外延区20作为电压承受区；器件阳极位于外延区20 (即电压承受区)的表面，器件阳极包括第一阳极31、第二阳极32两部分，第二阳极32位于第一阳极31内，第二阳极32与第一阳极31在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极32的面积小于第一阳极31，且第二阳极32的面积相比于第一阳极31足够小，第二阳极32的面积可近似忽略。如图2至图4所示，根据封装或测试的需要，第二阳极32可以位于第一阳极31内的任何位置。第二阳极32可以是独立的一个或者是相互并联的多个；第二阳极32可以是方形、矩形、圆形等任意规则或不规则图形。权利要求1.一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；其特征在于所述器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，第二阳极位于第一阳极内，第二阳极与第一阳极在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极的面积小于第一阳极。2.根据权利要求1所述的能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，其特征在于所述第二阳极的面积小于第一阳极至少一个数量级。3.根据权利要求1或2所述的能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，其特征在于所述第二阳极位于第一阳极内的任何位置。4.根据权利要求1或2所述的能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，其特征在于所述第二阳极是独立的一个或者是相互并联的多个。5.根据权利要求1所述的能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，其特征在于所述第二阳极是方形、矩形或者圆形。全文摘要本专利技术公开了一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；所述器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，第二阳极位于第一阳极内，第二阳极与第一阳极在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极的面积小于第一阳极。本专利技术在第二阳极上施加一个很小的电流，所得到的电流密度等同于整个器件在施加额定电流下的电流密度，能够实现功率二极管器件正向特性的精确测试，从而降低了器件的自发热效应出现，并且降低了器件评价对于测试设备功率能力的需求。文档编号H01L29/417GK103000696SQ20111026504公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月8日 优先权日2011年9月8日专利技术者胡晓明 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；其特征在于：所述器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，第二阳极位于第一阳极内，第二阳极与第一阳极在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极的面积小于第一阳极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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