【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件结构，具体涉及一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构。
技术介绍
功率半导体器件是不断发展的功率-电子系统的内在驱动力，尤其是在节约能源、动态控制、噪音减少等方面。功率半导体主要应用于对能源与负载之间的能量进行控制，并且应当拥有精度高、速度快和功耗低的特点。功率半导体器件也逐渐向大电压、大电流，甚至超大电压(几千、上万伏)、超大电流(几百、上千安培)领域逐渐发展，这就需要对大电压、大电流的功率半导体器件进行精确测试评价。但是，由于大电压大电流、下器件的自发热，会导致测试结果的不准确。而测试设备的测试能力跟不上器件的发展，也不能测试这种大功率器件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，它可以提高功率二极管器件的正向特性测试精度。为解决上述技术问题，本专利技术能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构的技术解决方案为包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；所述器件的阴极由器件背面引出， 器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第...
【技术保护点】
一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；其特征在于：所述器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，第二阳极位于第一阳极内，第二阳极与第一阳极在电性上相对独立，各自有电极引出；第二阳极的面积小于第一阳极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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