闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种闪存器件及其制造方法。闪存器件的形成在浮置栅极和控制栅极之间的栅极电介质膜通过层叠氧化物膜和ZrO2膜来形成。因此，可以改善闪存器件的可靠性且同时确保高耦合率。

【技术实现步骤摘要】
本申请是2006年8月I日提交的第200610108213.1号专利申请的分案申请。
本专利技术总地涉及闪存器件(flash memory device)及其制造方法,其中能够改善闪存器件的可靠性且同时确保高I禹合率(coupling ratio)。
技术介绍
通常，半导体存储器件大体上分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)例如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRM)。易失性存储器具有这样的属性，即加电时数据可被输入并保持、 但不加电时数据变得易失且不能被保持。在DRAM中，晶体管担负开关功能且电容器担负数据存储功能。如果不提供电源， DRM内的内部数据自动丢失。另外，SRM具有触发器型(flipflop type)晶体管结构。数据根据晶体管之间驱动程度的差别而被存储。SRM内的内部数据也自动丢失。相反，开发者为了开发与系统操作有关的数据或操作系统并提供所开发的数据或操作系统，已经开发了即使不供应电源也不丢失所存储的数据的非易失性存储器。非易失性存储器的例子可包括可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、以及 电E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：隧道电介质层，设置在衬底之上；浮置栅极，形成在所述隧道电介质层之上；栅极电介质层，形成在所述浮置栅极之上，所述栅极电介质层包括具有氧化物膜和ZrO2膜的堆叠结构；以及控制栅极，形成在所述栅极电介质层之上，其中该ZrO2膜接触该浮置栅极且该氧化物膜位于该ZrO2膜与该控制栅极之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪权，朴恩实，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：