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本发明公开一种闪存器件及其制造方法。闪存器件的形成在浮置栅极和控制栅极之间的栅极电介质膜通过层叠氧化物膜和ZrO2膜来形成。因此，可以改善闪存器件的可靠性且同时确保高耦合率。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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