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本发明公开了一种能够提高正向特性测试精度的功率二极管器件结构，包括元胞、终端区，终端区设置于元胞的外围；所述器件的阴极由器件背面引出，器件阴极的上方为衬底，衬底的上方有外延区；器件阳极位于外延区的表面，器件阳极包括第一阳极、第二阳极两部分，...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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