【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种贴面封装二极管，尤其涉及一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管。·
技术介绍
目前，大功率贴面封装二极管的需求量和发展是当今热点并会非常迅速，随着产品线路板小型化而使产品小型化的发展趋势，特别是对大功率小型化贴面封装二极管发展更为迅速。但目前的贴面封装二极管在逐渐减小体积的同时，存在多种问题为了保证大功率，故采用面积较大的硅芯片来降低二极管的正向压降，但由于封装外形较小而不利于应用，同时会因为受到封装应力的影响而致性能低下；另外，因保持大功率并尽量缩小体积而致发热量增加，而传统贴面封装二极管的接线端多为条形，无法有效散热，所以温升较大。为此个别厂家采用了连接片(jumper)，但连接片小且不规则，致使人工操作较难，效率低下；近来出现个别外资企业用Clip bonder自动设备操作,但效率更低且成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种散热效果好并便于加工的薄型大功率、低正向贴面封装二极管。为了达到上述目的，本专利技术采用了以下技术方案 本专利技术所述薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和...
【技术保护点】
一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：安国星，李述洲，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。