一种带片外电容的低压差稳压器及电源制造技术

本申请提供一种带片外电容的低压差稳压器及电源，该低压差稳压器包括偏置模块、控制电压生成模块及稳压模块，控制电压生成模块的输入端接参考电压，利用负反馈结构动态调整，生成稳定的控制电压；稳压模块基于控制电压为低压差稳压器的输出端提供电压，稳压模块中设置多个电压跟随器和多个功率晶体管，将低压差稳压器的输出电压反馈至电压跟随器，使得多个电压跟随器基于输出电压控制对应功率晶体管中寄生电容进行充电或放电，从而稳定输出电压。本申请提供的稳压器将功率晶体管分为多份，稳压模块中设置的电压跟随器具有推挽能力，提升稳压器的瞬态响应速度及电源抑制比的改善，不仅提高了稳压器的反应效率，也提高了稳压器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元器件设计领域，具体涉及一种带片外电容的低压差稳压器及电源。

技术介绍

1、在现代电子设备中，电源作为整个电路的基础，但电路的工作状态随着负载会发生变化，使得电路中的电流处于波动状态，提高了对电源的要求。为了满足低功耗和高效率的需求，为模拟信号和数字信号电路提供稳定的电源轨，低压稳定稳压器(low dropoutregulator，ldo)已经成为提高电源性能的手段之一。

2、在现有技术中，一般采用带片外电平的低压差稳压器，额外的电容器增加了印刷电路板的空间需求和物料清单(bill of materials，bom)成本，同时也增加了组装复杂性和潜在的故障点。较大值的电容会导致较长的启动时间，并且在某些情况下会增加静态功耗，因为ldo需要为额外的电容器进行充电。

3、因此，如何提供一种对片外电容依赖小且反应迅速的带片外电容的低压差稳压器，是目前亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、鉴于以上现有技术的缺点，本专利技术提供一种带片外电容的低压差稳压器，以解决上述技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，所述偏置模块包括电流源、第一NMOS管、第二NMOS管及第一PMOS管，所述电流源的输入端接电源电压，所述电流源的输出端接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的漏极还接所述第一NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的栅极还接所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极接所述第二NMOS管的源极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的源极接所述电源电压，所述第一PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的漏极还接所述第二...

【技术特征摘要】

1.一种带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，所述偏置模块包括电流源、第一nmos管、第二nmos管及第一pmos管，所述电流源的输入端接电源电压，所述电流源的输出端接所述第一nmos管的漏极，所述第一nmos管的漏极还接所述第一nmos管的栅极，所述第一nmos管的栅极还接所述第二nmos管的栅极，所述第一nmos管的源极接所述第二nmos管的源极，所述第一nmos管的源极接地，所述第一pmos管的源极接所述电源电压，所述第一pmos管的栅极接所述第一pmos管的漏极，所述第一pmos管的漏极还接所述第二nmos管的漏极，其中，所述第一nmos管的栅极和所述第一pmos管的栅极输出所述偏置电压。

3.根据权利要求2所述的带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，所述控制电压生成模块包括第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管及第五pmos管，所述第二pmos管的源极接所述电源电压，所述第二pmos管的源极还接所述第三pmos管的源极，所述第二pmos管的栅极接所述第三pmos管的栅极，所述第三pmos管的栅极还接所述第三pmos管的漏极，所述第二pmos管的漏极还接所述第三nmos管的漏极，所述第三nmos管的源极接所述第五nmos管的漏极，所述第五nmos管的源极接地，所述第三nmos管的源极还接所述第四nmos管的源极，所述第二pmos管的漏极还接所述第四pmos管的栅极，所述第三pmos管的漏极还接所述第四nmos管的漏极，所述第四pmos管的源极接所述第二pmos管的源极，所述第四pmos管的漏极接所述第四nmos管的栅极，所述第四pmos管的漏极还接所述第五pmos管的源极，所述第五pmos管的栅极接所述第五pmos管的漏极，所述第五pmos管的漏极接所述第六nmos管的漏极，所述第六nmos管的源极接地，其中，所述第三nmos管的栅极接所述参考电压，所述第五nmos管的栅极和所述第六nmos管的栅极接所述偏置电压，所述第五pmos管的栅极输出所述控制电压。

4.根据权利要求2所述的带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，所述稳压模块包括电压翻转器、n个所述电压跟随器及n个所述功率晶体管，所述电压翻转器接所述输出电压和所述偏置电压，基于所述控制电压为低压差稳压器的输出端提供与所述参考电压相等的电压，以及根据所述输出电压和所述偏置电压生成第一驱动电压；第一个所述电压跟随器接所述第一驱动电压，下一个所述电压跟随器的正相输入端接上一个所述电压跟随器的输出端，n个所述电压跟随器的输出端与n个所述功率晶体管的栅极一一对应连接，通过n个所述电压跟随器对所述第一驱动电压进行跟随输出，得到n个第二驱动电压，以通过n个所述第二驱动电压控制n个对应的所述寄生电容进行充电或放电，调节n个所述功率晶体管的漏极共同输出的所述输出电压。

5.根据权利要求4所述的带片外电容的低压差稳压器，其特征在于，所述电压翻转器包...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向涛，舒航，陈文锁，张成方，王航，张力，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：