一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法
本专利技术涉及到一种沟槽终端结构肖特基器件，本专利技术还涉及一种沟槽终端结构肖特基器件的制备方法。
技术介绍
功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上，特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势，肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点。肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造，最常用的为平面布局，传统的平面肖特基二极管具有较为复杂的制造工艺，需要三次光刻腐蚀工艺完成器件的生产制造。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题提出，提供一种沟槽终端结构肖特基器件及其制备方法。一种沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面有绝缘材料，临靠沟槽内壁区域设置有第二传导类型半导体材料；导电层，为金属或多晶半导体材料，位于器件的边缘，覆盖于器件边缘的第二传导类型半导体材料表面和临靠器件边缘的沟槽侧壁，并且此导电层不与器件上表面的电极金属相连；肖特基势垒结，位于漂移层表面。一种沟槽终端结构肖特基器件的制备方...
【技术保护点】
一种沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面有绝缘材料，临靠沟槽内壁区域设置有第二传导类型半导体材料；导电层，为金属或多晶半导体材料，位于器件的边缘，覆盖于器件边缘的第二传导类型半导体材料表面和临靠器件边缘的沟槽侧壁，并且此导电层不与器件上表面的电极金属相连；肖特基势垒结，位于漂移层表面。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽终端结构肖特基器件，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；沟槽，位于器件边缘漂移层中，沟槽内壁表面有绝缘材料，临靠沟槽内壁区域设置有第二传导类型半导体材料，临靠沟槽底部为轻掺杂第二传导类型半导体材料，临靠沟槽侧壁为轻掺杂第二传导类型半导体材料，第二传导类型半导体材料表面为欧姆接触；肖特基势垒结，位于漂移层表面，肖特基势垒结边缘临靠第二传导类型半导体材料，被沟槽包围；上表面电极金属，为金属，位于肖特基势垒结和临靠肖特基势垒结第二传导类型半导体材料表面经沟槽侧壁在沟槽底部横向延伸；导电层，为金属，位于器件的边缘，覆盖于器件边缘...
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