一种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片制造技术

种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。包括衬底和衬底上方的外延层，衬底与外延层的半导体类型相同，在外延层的表面设置有多个沟槽，沟槽的内部设置有氧化层并填充有多晶硅，其特征在于：在所述的外延层的表面间隔设置有多个与外延层半导体类型不同的反型区，在多晶硅（1）、反型区以及外延层的表面同时形成肖特基界面（3）。在本具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片中，通过在沟槽之间设置反型区，在外延层的表面形成PN结，从而提高了抗浪涌电流能力。

【技术实现步骤摘要】

一种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。
技术介绍
现有技术的沟槽式肖特基芯片的制造工艺如下：首先在半导体材质的外延层表面刻蚀出若干沟槽，然后在外延层表面进行氧化处理氧化处理之后在外延层的上表面以及沟槽内表面生成氧化层。然后在外延层表面进行多晶硅的填充，填充完成之后将外延层表面的氧化硅绝缘层和多晶硅去除，然后通过现有技术的若干步骤在外延层表面形成肖特基界面，完成肖特基芯片的制作。传统的沟槽式肖特基芯片的结构如图4所示：在N+型衬底6上方为N-型外延层4，在N-型外延层4的上表面并列设置有多个沟槽，在沟槽的内侧壁形成氧化层2，在氧化层2内填充有多晶硅1，多晶硅1的上表面与沟槽的上表面高度相同，在沟槽以及N-型外延层4的上表面上形成肖特基界面3。在传统的沟槽式肖特基芯片中，N-型外延层4上表面两沟槽之间的肖特基界面3起到导电界面的作用，同时由于肖特基芯片的耐压能力是由氧化层2的厚度实现的，由于在生成氧化层2时会消耗N-型外延层4本身的半导体材料，因此会减小相邻两个沟槽之间的距离，从而牺牲了有效地导电面积。传统的槽式肖特基在牺牲了芯片有效导电面积的同时正向浪涌能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，包括衬底和衬底上方的外延层，衬底与外延层的半导体类型相同，在外延层的表面设置有多个沟槽，沟槽的内部设置有氧化层并填充有多晶硅，其特征在于：在所述的外延层的表面间隔设置有多个与外延层半导体类型不同的反型区，在多晶硅（1）、反型区以及外延层的表面同时形成肖特基界面（3）。

【技术特征摘要】
1.一种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，包括衬底和衬底上方的外延层，衬底与外延层的半导体类型相同，在外延层的表面设置有多个沟槽，沟槽的内部设置有氧化层并填充有多晶硅，其特征在于：在所述的外延层的表面间隔设置有多个与外延层半导体类型不同的反型区，在多晶硅（1）、反型区以及外延层的表面同时形成肖特基界面（3）。2.根据权利要求1所述的具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述的反型区间隔2~10个所述的沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：关仕汉，
申请(专利权)人：淄博汉林半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37