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种具备高正向浪涌能力的沟槽式肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。包括衬底和衬底上方的外延层，衬底与外延层的半导体类型相同，在外延层的表面设置有多个沟槽，沟槽的内部设置有氧化层并填充有多晶硅，其特征在于：在所述的外延层的表面间隔设置有多个与外...
该专利属于淄博汉林半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淄博汉林半导体有限公司授权不得商用。

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