一种肖特基pn结集成器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及肖特基二极管。
技术介绍
现有的肖特基二极管的通态压降Vf若降低，那么反向耐压BV也会降低；因此若反向耐压达到100V以上，通态压降就会大到无法使用。因此在高压领域中，它的应用受到了限制。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有产品中不足，提供一种肖特基pn结集成器件。为了达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：本技术的一种肖特基pn结集成器件，包括P基区、肖特基势垒金属层，所述肖特基势垒金属层位于在P基区的顶端，所述P基区上设有N基区、P+阳极发射区，所述N基区位于P基区的上侧，所述P+阳极发射区位于P基区的下侧，所述N基区上设有两个P+保护环、N+发射区，所述两个P+保护环、N+发射区都位于N基区的上方，所述两个P+保护环都与肖特基势垒金属层相连接，所述肖特基势垒金属层为正极A，所述N+发射区为负极，所述P+阳极发射区为正极B。本技术所述两个P+保护环为第一P+保护环和第二P+保护环，所述第二P+保护环位于第一P+保护环与N+发射区之间。本技术所述两个P+保护环、N+发射区都位于N基区的顶端。本技术所述第一P+保护环紧贴N基区的左侧，所述N+发射区位于N基区的右侧。本技术所述肖特基势垒金属层位于两个P+保护环的上方。本技术的有益效果如下：本技术提高了肖特基二极管的反向耐压值，并降低通态压降，增大了通态电流。因此，本技术保持了超高速开通、低通态压降的优良特性，并满足电力电子对肖特基二极管高反向耐压值的要求。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明：如图1所示，一种肖特基pn结集成器件，包括P基...
【技术保护点】
一种肖特基pn结集成器件，其特征在于，包括P基区(6)、肖特基势垒金属层(2)，所述肖特基势垒金属层(2)位于在P基区(6)的顶端，所述P基区(6)上设有N基区(5)、P+阳极发射区(7)，所述N基区(5)位于P基区(6)的上侧，所述P+阳极发射区(7)位于P基区(6)的下侧，所述N基区(5)上设有两个P+保护环、N+发射区(4)，所述两个P+保护环、N+发射区(4)都位于N基区(5)的上方，所述两个P+保护环都与肖特基势垒金属层(2)相连接，所述肖特基势垒金属层(2)为正极A，所述N+发射区(4)为负极，所述P+阳极发射区(7)为正极B。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基pn结集成器件，其特征在于，包括P基区(6)、肖特基势垒金属层(2)，所述肖特基势垒金属层(2)位于在P基区(6)的顶端，所述P基区(6)上设有N基区(5)、P+阳极发射区(7)，所述N基区(5)位于P基区(6)的上侧，所述P+阳极发射区(7)位于P基区(6)的下侧，所述N基区(5)上设有两个P+保护环、N+发射区(4)，所述两个P+保护环、N+发射区(4)都位于N基区(5)的上方，所述两个P+保护环都与肖特基势垒金属层(2)相连接，所述肖特基势垒金属层(2)为正极A，所述N+发射区(4)为负极，所述P+阳极发射区(7)为正极B。2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：高秀秀，
申请(专利权)人：厦门集顺半导体制造有限公司，厦门元顺微电子技术有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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