本实用新型公开了一种N沟埋栅SITH型的ESD保护器件，包括透明阴极N+区、外延N‑区、埋栅PBL区、衬底N‑区、透明阳极P+区，埋栅PBL区位于外延N‑区和衬底N‑区之间，外延N‑区和衬底N‑区都与埋栅PBL区相连，透明阴极N+区与衬...

本实用新型公开了一种具有双门极的双波状基区GCT器件，包括N‑基区、N基区、P基区、N+阴极发射区、P+阳极发射区，N‑基区位于P基区与N基区之间，N‑基区与P基区的交界处为JB结，N‑基区与N基区的交界处为JA结，JB结、JA结都呈波...

本实用新型公开了一种肖特基pn结集成器件，包括P基区、肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层位于在P基区的顶端，P基区上设有N基区、P+阳极发射区，N基区位于P基区的上侧，P+阳极发射区位于P基区的下侧，N基区上设有两个P+保护环、N+发射...

本发明涉及一种具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法，包括外延层，外延层上沿横向间隔刻蚀形成若干个纵向的沟槽，所述沟槽自外延层的上表面向下延伸，所述外延层的厚度为D，其中D大于0，所述沟槽的深度为；每个沟槽的底部...