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本实用新型公开了一种肖特基pn结集成器件，包括P基区、肖特基势垒金属层，肖特基势垒金属层位于在P基区的顶端，P基区上设有N基区、P+阳极发射区，N基区位于P基区的上侧，P+阳极发射区位于P基区的下侧，N基区上设有两个P+保护环、N+发射区，...该专利属于厦门集顺半导体制造有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门集顺半导体制造有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司授权不得商用。