一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法，该方法包括：在设有通孔的陶瓷基板的表面及通孔侧壁溅射第一种子层；基于第一种子层，对陶瓷基板的表面及通孔侧壁进行电镀铜，填充通孔得到铜通孔；去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板；在陶瓷基板去镀层的表面及对应的铜通孔的端面溅射第二种子层；在第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板。本发明专利技术一方面，第二种子层可完全封堵通孔的两端，确保铜填充通孔的气密性。另一方面，通孔两端的第二种子层在陶瓷基板表面连续无间断，承受拉应力时整个第二种子层表面均匀分散拉应力，避免单点所受应力过大导致开裂，进一步确保了铜填充通孔的气密性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及直接镀铜基板，尤其涉及一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法。

技术介绍

1、陶瓷基板由于其高的抗弯强度、高热导率等技术特点，在高功率封装领域中得到了广泛的应用。常用封装陶瓷基板工艺包括abd、amb、dpc与htcc等。其中dpc(直接镀铜，direct plating copper，简称dpc)工艺通常采用96％氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷作为基材，利用激光工艺、薄膜制备工艺实现基板上下的互连，其兼具精细布线能力、高散热、低成本等优势，满足高功率封装领域对高散热、低成本的应用需求。

2、传统方式直接镀铜(dpc)工艺在陶瓷基板上溅射铜种子层，再在种子层上电镀增加铜的厚度。磁控溅射通常只能有效覆盖深宽比小于3:1的通孔侧壁，而直接镀铜陶瓷基板的通孔深宽比通常为5:1以上，这导致通孔内种子层的覆盖度较差，通孔内各向同性电镀填充的铜金属不连续且厚度不均匀。在后续的气密性封装应用中，极易由于孔内拉应力过大导致形变造成漏气，无法满足气密性需求。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种直接镀铜陶瓷基板及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板包括：

3.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板包括：

4.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，在所述第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板包括：

5.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，在所述第二种子层的表面进行图形化电镀，制备...

【技术特征摘要】

1.一种直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板包括：

3.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，所述去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板包括：

4.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，在所述第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板包括：

5.如权利要求1所述的直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，在所述第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板包括：

6.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹤，杨欢，杨振涛，曹正宇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：