一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法，属于半导体技术领域，包括在碳化硅衬底外延生长之前，对碳化硅衬底C面进行减薄操作，以使碳化硅衬底Si面为凹面；定量控制碳化硅衬底Si面的翘曲度，以减小碳化硅厚外延片的翘曲度。本发明专利技术提供的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，首先在碳化硅衬底进行外延生长之前，对碳化硅衬底C面进行减薄操作，从而改变衬底的厚度分布和应力状态，促使碳化硅衬底Si面呈现凹面形态，并且对碳化硅衬底Si面的翘曲度进行定量控制，实现整个碳化硅厚外延片的翘曲度减小，进而能够有效避免内应力的过度累积，从而提高后续器件的良率和性能，满足使用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，更具体地说，是涉及一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法。

技术介绍

1、传统硅基器件由于材料本身的限制，难以满足对超高压功率器件应用领域的需求，碳化硅(sic)作为宽禁带半导体材料的代表，以其优异的材料性能，将成为超高压厚外延材料的首选，高质量厚层外延材料也将成为未来碳化硅外延工艺竞争的焦点。目前碳化硅厚外延片均存在随外延厚度增加翘曲度逐渐变大、变凸的问题。外延片翘曲度过大会使其内应力累积，导致后续器件良率降低，也会造成光刻精度下降和后续介质层沉积不均匀，进而降低器件性能和可靠性；同时，外延片翘曲度过大，还可能导致载流子迁移率分布不均，影响器件导通电阻、击穿电压等关键参数，从而导致器件性能恶化。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法，以解决现有技术中存在的外延片翘曲度过大，导致后续器件性能无法满足要求的技术问题。

2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法，包括在碳化硅衬底外延生长之前，对碳化硅衬底c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，包括在碳化硅衬底外延生长之前，对碳化硅衬底C面进行减薄操作，以使碳化硅衬底Si面为凹面；定量控制碳化硅衬底Si面的翘曲度，以减小碳化硅厚外延片的翘曲度。

2.如权利要求1所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，包括：

3.如权利要求2所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，在步骤S1中，所述预研磨包括先后进行的粗研磨和精研磨。

4.如权利要求3所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，粗研磨采用粗砂轮加工，精研磨采用精砂轮加工；所述粗砂轮为1000～3000目，所述精砂轮为5000...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，包括在碳化硅衬底外延生长之前，对碳化硅衬底c面进行减薄操作，以使碳化硅衬底si面为凹面；定量控制碳化硅衬底si面的翘曲度，以减小碳化硅厚外延片的翘曲度。

2.如权利要求1所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，包括：

3.如权利要求2所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，在步骤s1中，所述预研磨包括先后进行的粗研磨和精研磨。

4.如权利要求3所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，粗研磨采用粗砂轮加工，精研磨采用精砂轮加工；所述粗砂轮为1000～3000目，所述精砂轮为5000～50000目。

5.如权利要求2所述的碳化硅厚外延片的工艺控制方法，其特征在于，在步骤s1中，研磨碳化硅衬底之后，对碳化硅衬底c面进行抛光、清洗。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李帅，房玉龙，芦伟立，王波，韩明睿，王启蘅，权世崴，侯钧杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：