【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏领域，特别涉及一种单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池。
技术介绍
1、在直拉法单晶硅生长技术中，控制晶体生长过程中的固液界面形状是保证晶体质量的关键。传统的生长控制方法往往采用恒定的提拉速度和旋转速度，或在生长过程中对这些参数进行简单的线性调整，这导致了固液界面形状存在突变问题，造成晶体生长不稳定。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池，至少解决单晶硅棒的生长过程中固液界面形状突变造成晶体生长不稳定的问题。
2、根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种单晶硅棒的制备方法，包括：获取坩埚内熔体的轴向温度梯度、径向温度梯度以及剩料率，所述轴向温度梯度为所述熔体在晶棒轴线方向上的温度变化率，所述径向温度梯度为所述熔体在晶棒径向上的温度变化率，所述晶棒轴线方向与所述晶棒径向垂直，所述剩料率为所述坩埚内所述熔体的剩余量与直拉开始前所述坩埚内的装料量之比；根据所述轴向温度梯度、所述径向温度梯度以及所述剩料率，确定所述晶棒的当前生...
【技术保护点】
1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，根据所述轴向温度梯度、所述径向温度梯度以及所述剩料率，确定所述晶棒的当前生长阶段，包括：
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，根据所述晶棒的所述当前生长阶段，采用所述当前生长阶段对应的控制策略控制所述晶棒的拉制，包括：
4.根据权利要求3所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在所述当前生长阶段为所述自然对流阶段的情况下，至少根据所述晶棒的实际生长长度调整晶棒提拉速度，包括：
5.根据权利要求3所述的...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，根据所述轴向温度梯度、所述径向温度梯度以及所述剩料率，确定所述晶棒的当前生长阶段，包括：
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，根据所述晶棒的所述当前生长阶段，采用所述当前生长阶段对应的控制策略控制所述晶棒的拉制，包括：
4.根据权利要求3所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在所述当前生长阶段为所述自然对流阶段的情况下，至少根据所述晶棒的实际生长长度调整晶棒提拉速度，包括：
5.根据权利要求3所述的单晶硅棒的制备方法，其特征在于，在所述当前生长阶段为所述混合对流阶段的情况下，至少根据所述坩埚的振幅和振动频率，对所述晶棒的晶转速度进行调整，包括：
6.根据权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈占仓，王鹏飞，马建强，李小龙，
申请(专利权)人：青海晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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