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本发明提供了一种碳化硅厚外延片的工艺控制方法，属于半导体技术领域，包括在碳化硅衬底外延生长之前，对碳化硅衬底C面进行减薄操作，以使碳化硅衬底Si面为凹面；定量控制碳化硅衬底Si面的翘曲度，以减小碳化硅厚外延片的翘曲度。本发明提供的碳化硅厚外...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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