提拉法晶体生长装置制造方法及图纸

本技术涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种提拉法晶体生长装置，炉壳内设置有保温筒和隔板，保温筒包括上筒体和下筒体，上筒体和下筒体扣合并形成生长空间，生长空间的底部嵌入有用于盛放熔体的坩埚，籽晶杆的下端位于生长空间内并与熔体的熔化部分接触，第一驱动件用于驱动保温筒升降和旋转，第一加热件用于对熔体加热，第二加热件用于对保温筒加热。通过将坩埚嵌入在上筒体和下筒体形成的生长空间的底部，在第一驱动件驱动保温筒升降时，坩埚不会与保温筒脱离，从而保证晶体生长过程中温度梯度变化较小；并且设置第二加热件对保温筒进行加热，从而晶体生长完成后，其上端和下端的温差较小，减小晶体的轴向受热不均，从而降低开裂风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体生长，尤其涉及一种提拉法晶体生长装置。

技术介绍

1、提拉法是ycob晶体常用的一种生长方法，常用的加热方式是感应加热，而感应加热的线圈大多是固定不动的，在晶体生长过程中，因为坩埚与加热件的位置均是固定的，但熔体熔化面的位置会随着晶体生长而逐渐降低，导致在生长过程中晶体及固液界面的温度梯度变化较大，容易出现缺陷、多晶等问题。

2、对此，现有技术中通常采用移动坩埚的方式，使坩埚随着晶体的生长过程移动，保证熔体熔化面与加热件的相对位置不变，从而减小生长过程中的温度梯度变化。但是随着坩埚的移动，坩埚逐渐从保温件内脱出，从而又会在一定程度上增加温度梯度的变化。此外，现有技术中的装置在晶体生长结束后脱离熔体的熔化面，其下方的温度高于上方的温度，晶体的轴向存在因受热不均而开裂的风险。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种提拉法晶体生长装置，以解决现有技术中存在的生长过程中温度梯度变化较大以及生长结束后轴向受热不均的问题。

2、本技术提供一种提拉法晶体生长装置，包括炉壳、籽晶杆、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.提拉法晶体生长装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，所述第二加热件(32)设置为多个，多个所述第二加热件(32)设置在所述保温筒(2)的外部并沿所述保温筒(2)的周向间隔分布，所述第二加热件(32)沿所述保温筒(2)的径向方向与所述保温筒(2)间隔设置。

3.根据权利要求1所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，还包括多个保温件(6)，所述保温件(6)设置为弧形结构，多个所述保温件(6)首尾相连形成环状结构并包覆在所述第二加热件(32)的外部。

4.根据权利要求2所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，所述第...

【技术特征摘要】

1.提拉法晶体生长装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，所述第二加热件(32)设置为多个，多个所述第二加热件(32)设置在所述保温筒(2)的外部并沿所述保温筒(2)的周向间隔分布，所述第二加热件(32)沿所述保温筒(2)的径向方向与所述保温筒(2)间隔设置。

3.根据权利要求1所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，还包括多个保温件(6)，所述保温件(6)设置为弧形结构，多个所述保温件(6)首尾相连形成环状结构并包覆在所述第二加热件(32)的外部。

4.根据权利要求2所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，所述第二加热件(32)为电阻加热棒。

5.根据权利要求3所述的提拉法晶体生长装置，其特征在于，所述保温件(6)为莫来石...

【专利技术属性】
技术研发人员：林霞，白建嘉，蔡妙玲，李黄欣，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：