【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体而言涉及衬底的研磨方法、衬底及发光二极管。
技术介绍
1、目前，常规的衬底加工方法一般包括研磨、上蜡、粗抛、抛光、下蜡、清洗和检测。其中，研磨这一步骤是为了修复衬底的翘曲(warp)。衬底的翘曲包括几何翘曲和应力不均翘曲。几何翘曲是由几何形状导致的的翘曲，应力不均翘曲是由衬底两侧应力不均产生的翘曲。
2、为了修复衬底中的翘曲，衬底的传统研磨方法中常采用先低压后高压的复合压强作业方式。该衬底的传统研磨方法对翘曲小于20um的情况，具有良好的修复效果。但，该衬底的传统研磨方法对翘曲远大于20um的情况并不适用且无法有效的修复应力不均的翘曲。
3、因此，如何有效修复衬底的应力不均的翘曲且使衬底形成更小的损伤层仍然是本领域技术人员急待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述技术问题，本申请提供衬底的研磨方法、衬底及发光二极管。
2、为实现上述目的，本申请采用的其中一个技术方案提供一种衬底的研磨方法，该研磨方法包括：
3、提供待研磨衬底，待研磨衬底包括衬底中间层和位于衬底中间层两侧的损伤层；
4、采用第一压强对待研磨衬底的两侧的损伤层进行第一研磨，以对待研磨衬底的翘曲进行修复并使衬底中间层两侧的损伤层的应力差异减小，形成预研磨衬底；其中，第一压强大于或等于3kpa；
5、采用第二压强对预研磨衬底的两侧的损伤层进行第二研磨，以对预研磨衬底两侧的损伤层进行减薄，形成目标衬底；其中，第二压
6、可选地，待研磨衬底为2寸～18寸的衬底。
7、可选地，待研磨衬底的厚度为300um～5000um。
8、可选地，待研磨衬底的翘曲为50um～1000um。
9、可选地，待研磨衬底两侧的损伤层的厚度均为待研磨衬底的厚度的5％～50％。
10、可选地，待研磨衬底的厚度差异为待研磨衬底的厚度的±20％以内。
11、可选地，第一研磨移除的厚度为待研磨衬底的翘曲的0.8倍～1.5倍。
12、可选地，预研磨衬底的翘曲为20um～50um，
13、可选地，预研磨衬底两侧的损伤层的厚度均为预研磨衬底的厚度的4％～20％。
14、可选地，预研磨衬底的厚度差异在±10％以内。
15、可选地，目标衬底的翘曲小于或等于20um，目标衬底两侧的损伤层的厚度均小于或等于20um。
16、可选地，第一压强小于或等于20kpa，第二压强大于或等于0.1kpa。
17、可选地，待研磨衬底的材料包括氧化物、氮化物、碳化物和硼化物中的至少一种。
18、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种衬底，衬底的加工方法包括上述的衬底的研磨方法。
19、为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种发光二极管，该发光二极管包括上述的衬底。
20、有益效果：区别于现有技术，本申请中，通过大于或等于3kpa的第一压强对待研磨衬底的两侧的损伤层进行第一研磨，能够使形成的预研磨衬底中衬底中间层两侧的损伤层更为对称的分布于衬底中间层的两侧且预研磨衬底中损伤层各区域的厚度差异减小，从而使得预研磨衬底各区域的应力更为均衡，如此能够有效修复待研磨衬底的应力不均翘曲。通过小于或等于1kpa的第二压强对预研磨衬底的两侧的损伤层进行第二研磨，能够使形成的目标衬底中衬底中间层两侧的损伤层的厚度减薄。也就是说本申请能够有效修复衬底的应力不均翘曲且使衬底形成更小的损伤层。
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1.一种衬底的研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括：
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述待研磨衬底为2寸～18寸的衬底。
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述待研磨衬底的厚度为300um～5000um。
4.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述待研磨衬底的翘曲为50um～1000um。
5.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述待研磨衬底两侧的损伤层的厚度均为所述待研磨衬底的厚度的5％～50％。
6.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述待研磨衬底的厚度差异为所述待研磨衬底的厚度的±20％以内。
7.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨移除的厚度为所述待研磨衬底的翘曲的0.8倍～1.5倍。
8.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述预研磨衬底的翘曲为20um～50um。
9.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述预研磨衬底两侧的所述损伤层的厚度均为所述预研磨衬底的厚度的4％～20％。
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