【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衬底加工制造,特别涉及一种陶瓷研磨盘及其制备方法和应用。
技术介绍
1、在目前的第三代半导体制备中,由于aln与gan热匹配和化学兼容性更高、衬底与外延层之间的应力更小,因此多采用氮化铝多晶陶瓷裸片作为衬底材料。
2、然而氮化铝多晶陶瓷裸片是流延片高温烧结而成,所以氮化铝多晶陶瓷裸片表面存在较大的应力,同时应力分布不均匀,应力导致的翘曲(warp)能够达到衬底尺寸的1‰~5‰;同时,陶瓷原料中有大量的有机溶剂,在烧结的过程中,体积会大幅度降低,导致氮化铝多晶陶瓷裸片的厚度差异(ttv)达到0.1‰~1‰。
3、为了修复氮化铝多晶陶瓷衬底的翘曲(warp)和厚度差异(ttv),因此需要采用研磨制程,而传统的研磨制程采用的是铸铁盘,铸铁盘在生产过程中容易生锈,而氮化铝多晶陶瓷是烧结物,表面会存在较多的孔洞,在研磨制程中孔洞中容易堵塞锈粒,形成锈斑,导致氮化铝多晶陶瓷裸片金属污染。同时由于铸铁盘硬度较低,研磨时容易产生大颗粒的铁锈,大颗粒的铁锈会刮伤衬底,在衬底表面形成划痕,
4、目前对常规的
...【技术保护点】
1.一种陶瓷研磨盘,其特征在于:以质量百分比计,原料包括85%~95%的α-氧化铝、2%~6%的晶界粘结剂、2.5%~8%的晶界强化剂及0.5%~1.5%的纳米陶瓷粉体。
2.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述纳米陶瓷粉体为氧化铬粉、氮化硅、氧化锆粉及碳化硅粉中的至少一种或多种复配组合。
3.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述晶界粘结剂为氧化硅、硅酸钠、硅酸钙中的至少一种或多种复配组合。
4.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述晶界强化剂为氧化镁、硅酸镁、硫酸镁中的至少一种或多种复配组合。
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷研磨盘,其特征在于:以质量百分比计,原料包括85%~95%的α-氧化铝、2%~6%的晶界粘结剂、2.5%~8%的晶界强化剂及0.5%~1.5%的纳米陶瓷粉体。
2.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述纳米陶瓷粉体为氧化铬粉、氮化硅、氧化锆粉及碳化硅粉中的至少一种或多种复配组合。
3.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述晶界粘结剂为氧化硅、硅酸钠、硅酸钙中的至少一种或多种复配组合。
4.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述晶界强化剂为氧化镁、硅酸镁、硫酸镁中的至少一种或多种复配组合。
5.根据权利要求1所述的陶瓷研磨盘,其特征在于:所述α-氧化铝粉的粒径为0.9um~18um,所述晶界粘结剂的粒径为0.01um~0.3um,所述晶界强化剂强化剂粒径为0.005um~0.1um。
6.一种制备如权利要求1~5任一项所述的陶瓷研磨盘的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张佳浩,徐德勤,曾柏翔,李瑞评,刘聪毅,陈铭欣,
申请(专利权)人:福建晶安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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