【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种晶圆抛光方法。
技术介绍
1、近几年随着半导体行业的不断发展，对大尺寸晶圆的需求不断上升。在制程过程中，晶圆表面可能存在局部刮伤、小坑等缺陷，或局部平坦度异常(ltv,local thicknessvariation)等问题，使得晶圆质量不佳。而现有对晶圆表面缺陷的处理一般是采用大型抛光设备进行整面抛光修复，其容易造成晶圆其它区域出现新缺陷的风险，且整面抛光使得晶圆整体厚度下降、成本提高。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中晶圆抛光存在的至少一个不足，本专利技术提供一种晶圆抛光方法，包括采用抛光设备对所述晶圆进行抛光；所述抛光设备包括抛光槽、置于抛光槽内的承载装置以及位于所述承载装置上方的至少一局部抛光件；还包括以下步骤：
2、提供一晶圆，所述晶圆具有待加工表面，对所述待加工表面上的缺陷部位进行定位，并将所述晶圆固定于承载装置上；所述抛光槽内添加有抛光液；
3、利用至少一局部抛光件对浸没于抛光液中的晶圆待加工表面上的缺陷部位进行局部抛光处理；其中，所述局部抛光件具有与所述晶圆表面进行接触抛光的抛光垫，所述抛光垫与晶圆表面接触的接触面积小于所述晶圆待加工表面的面积。
4、基于上述，与现有技术相比，本专利技术提供的晶圆抛光方法结合抛光设备对浸没于抛光液中的晶圆进行局部抛光处理，能够有效对局部缺陷进行修复，有效避免传统全面抛光造成的二次缺陷，提高抛光时间，节省成本，改善晶圆表面质量。
5、本专利技术的其
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1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，采用抛光设备对所述晶圆进行抛光；所述抛光设备包括抛光槽、置于抛光槽内的承载装置以及位于所述承载装置上方的至少一局部抛光件；还包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述抛光设备还包括加热组件，所述加热组件用于对抛光液进行加热；在进行抛光处理时，所述抛光液的温度介于45～55℃之间。
3.根据权利要求2所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述加热组件包括若干加热件，所述加热件间隔设置在抛光槽上，以对抛光液进行加热；
4.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述局部抛光件还包括抛头驱动件、主轴及抛头，所述抛头驱动件通过主轴与抛头可拆卸连接，以用于带动抛头旋转的同时可带动抛头多轴移动；所述抛光垫设置于所述抛头底部。
5.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：在局部抛光处理时，所述局部抛光件的转速介于60～500r/min之间；所述局部抛光件以30～40g/cm2的压力与晶圆的待加工表面接触。
6.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述抛光液的
7.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述抛光垫的材质包含聚氨酯或橡胶。
8.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述承载装置包括载台、真空吸附件以及载台驱动件；所述载台驱动件与载台连接，以用于带动载台旋转；所述真空吸附件与载台连接以用于将晶圆吸附在载台上。
9.根据权利要求8所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述承载装置还包括电磁阀，所述电磁阀设置于真空吸附件上。
10.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述晶圆待加工表面上的缺陷部位包括不平坦的凸起或凹陷或曲翘；对所述缺陷部位的局部抛光深度介于1～5μm。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，采用抛光设备对所述晶圆进行抛光；所述抛光设备包括抛光槽、置于抛光槽内的承载装置以及位于所述承载装置上方的至少一局部抛光件；还包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述抛光设备还包括加热组件，所述加热组件用于对抛光液进行加热；在进行抛光处理时，所述抛光液的温度介于45～55℃之间。
3.根据权利要求2所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述加热组件包括若干加热件，所述加热件间隔设置在抛光槽上，以对抛光液进行加热；
4.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：所述局部抛光件还包括抛头驱动件、主轴及抛头，所述抛头驱动件通过主轴与抛头可拆卸连接，以用于带动抛头旋转的同时可带动抛头多轴移动；所述抛光垫设置于所述抛头底部。
5.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其特征在于：在局部抛光处理时，所述局部抛光件的转速介于60～500r/m...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志豪，莫康，张鑫，孙家宝，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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