【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
具有VA族元素氮(N)的氮化物半导体由于其能带隙(band-gap)的大小，作为短波发光元件的材料被看好。其中，氮化镓类化合物半导体(GaN类半导体)的研究在积极进行，以蓝色发光二极管(LED)、绿色LED和GaN类半导体为材料的半导体激光器也在被实用化(例如，参照专利文献1、2)。GaN类半导体具有纤锌矿型晶体结构。图1示意性地表示GaN的单位晶格。在AlxGayInzN (O彡x, y, z彡I, x + y + z = I)半导体的晶体中，图1所示Ga的一部分可以由Al及/或In置换。图2表示为了用4指数标记(六方晶系指数)表示纤锌矿型晶体结构的面而一般所使用的四个基本矢量al、a2、a3、c。基本矢量c在方向上延伸，该方向称为“c轴”。与c轴垂直的面(plane)称为“c面”或者“(0001)面”。此外，“c轴”和“c面”有时分别被记作“C轴”和“C面”。在使用GaN类半导体制作半导体元件的情况下，作为使GaN类半导体结晶生长的基板，使用c面基板、即表面具有(0001)面的基板。但是，因为在c面中Ga的原子层的位置和氮的原子层...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.18 JP 2011-1111101.一种氮化物类半导体发光元件，其特征在于:具有生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构，所述半导体层叠结构具有:n型半导体层；p型半导体层；设置于所述P型半导体层上的P侧电极；和位于所述η型半导体层与所述P型半导体层之间的活性层，所述活性层的厚度与所述η型半导体层的厚度之比D为1.8 X 10_4≤D≤14.1X10_4，所述P侧电极的面积S为I X IO2 μ m2≤S≤9 X IO4 μ m2，外部量子效率成为最大时的88%时的最大电流密度为2A/mm2以上。2.如权利要求1所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于:所述活性层的厚度与所述η型半导体层的厚度之比D为2.62X 10_4 ≤D ≤8.49Χ 10_4。3.如权利要求1或者2所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于:所述P侧电极的面积S为I X IO2 μ m2 ≤S ≤4 X IO4 μ m2。4.如权利要求1 3中任一项所述的氮化物类半导体元件，其特征在于:所述活性层具有2X IO17CnT3以上的氧浓度。5.如权利要求1 4中任一项所述的氮化物类半导体元件，其特征在于:所述活性层的厚度为0.027 μ m以上0.045 μ m以下。6.如权利要求1 5中任一项所述的氮化物类半导体发光兀件,其特征在于:所述η型半导体层包括由η型半导体形成的基板。7.如权利要求1 6中任一项所述的氮化物类半导体发光元件，其特征在于:所述半导体层叠结构由AlxGayInzN半导体形成,其中x + y + z = l,x≥O, y≥O,z ≥O。8.一种光源，其特征在于，包括:权利要求1 7中任一项所述的氮化物类半导体发光元件；和包含对从所述氮化物类半导体发光元件发射出的光的波长进行转换的荧光物质的波长转换部。9.一种氮化物类半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括:形成生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：横川俊哉，岩永顺子，井上彰，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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