氮化物系半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术的氮化物系半导体发光元件的制造方法包括：准备衬底(10)的工序；在衬底上形成具有由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成并且表面是m面的p型AldGaeN层(p型半导体区域)(26)的氮化物系半导体层叠结构的工序；在p型AldGaeN层(26)的表面上形成包括Mg以及Zn的至少一个的金属层(28)并进行加热处理的工序；除去金属层(28)的工序；以及在p型的AldGaeN层(26)的表面上形成p型电极的工序，通过加热处理，p型的AldGaeN层(26)中的N浓度变成高于Ga浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化物半导体元件及其制造方法。特别地，本专利技术涉及一种从紫外到蓝色、绿色、橙色以及白色等的可见光区域整个波段中的发光二极管、激光二极管等的GaN系半导体发光元件。这种发光元件被期待应用于显示、照明以及光信息处理等领域。此夕卜，本专利技术还涉及一种用于氮化物系半导体元件中的电极的制造方法。
技术介绍
具有作为V族元素的氮(N)的氮化物半导体由于其带隙(b an dgap)大小的缘故而有望作为短波长发光元件的材料。其中，氮化镓系化合物半导体(GaN系半导体AlxGayInzN(x+y+z = Ι,χ彡0、y彡0、z彡O))的研究尤为盛行,蓝色发光二极管(LED)、绿色LED以及以GaN系半导体为材料的半导体激光器也正在应用到实际中。GaN系半导体具有纤锌矿(wurtzite)型结晶结构。图I示意性地表示GaN单位晶格。在AlxGayInzN(x+y+z = I, x彡O、y彡O、z彡O)半导体结晶中，图I所示的Ga的一部分能够被置换为Al以及/或者In。图2表示为了以4指数标记(六方晶指数)来表现纤锌矿型结晶结构的面一般所采用的四个向量al、a2、a3和C。基本向量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安杖尚美，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：