氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法，氮化物半导体发光元件（100）在氮化物半导体活性层（107）上依次包括：第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110），第一p型氮化物半导体层（108）及第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al，第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同，第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于第二p型氮化物半导体层（109）的带隙，第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
使用AlGaInN类的氮化物半导体制作的氮化物半导体发光元件能够高效地发出蓝色等短波长的光，因此，通过将其与荧光体组合，能够得到发出白色光的发光装置。作为发出白色光的发光装置，因为能够得到超过荧光灯发光效率的发光装置，所以认为这样的发光装置是今后照明的主打产品。另一方面，对于使用这样的氮化物半导体发光元件而发出白色光的发光装置，期 待进一步改善发光效率，并且期待由此产生的节能化的发展。由于氮化物半导体发光元件的发光原理为空穴与电子的复合，所以恰当地制作P型氮化物半导体层及η型氮化物半导体层是非常重要的。然而，在氮化物半导体发光元件的制造过程中，存在各种热处理工序会扰乱掺杂于P型氮化物半导体层中的Mg等P型杂质的分布。第一，是形成P型氮化物半导体层的外延生长工序本身，该工序一般在超过IOOO0C的高温下进行。另外，第二，是用来促进P型氮化物半导体层的P型化的退火工序。而且，第三，是热处理工序，该热处理工序用来改善电极形成后电极与氮化物半导体的接触性及电极自身的特性。由于这些热处理工序的加热过程，在P型氮化物半导体层的外延生长中P型杂质的掺杂量与通过掺杂该P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：笔田麻佑子，山田英司，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：