直列式基板处理装置制造方法及图纸

公开了一种直列式基板处理装置。本发明专利技术涉及的直列式基板处理装置包括：第一腔室（100），用于预热基板（10）；第二腔室（200），从第一腔室（100）接收经预热的基板（10），并在进行加热的同时进行等离子体处理；以及第三腔室（300），从第二腔室（200）接收经等离子体处理的基板（10），并在进行冷却的同时进行等离子体处理；第一腔室（100）、第二腔室（200）及第三腔室（300）依次连接成一列。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种直列式基板处理装置，更具体地说，能够提高等离子体处理工艺生产率的直列式基板处理装置。
技术介绍
如石油或煤炭这样的现有化石能源资源逐步枯竭，而随着对环境关注度的提高，作为能够解决这些问题的替代能源，具有无限制/无公害的太阳能电池的相关技术备受瞩目。能够将吸收的光转换成电能的太阳能电池，大致分为大容量型(单晶(singlecrystalline)、多晶(poly crystalline))太阳能电池、薄膜型(非晶(amorphous)、多晶 (poly crystal line))太阳能电池、CdTe或CIS(CuInSe2)等化合物薄膜太阳能电池、III - V族太阳能电池、染料敏化太阳能电池和有机太阳能电池等。另ー方面，目前广泛使用的大部分太阳能电池，使用硅作为光吸收层的材料，在这种情况下，为了提高太阳能电池的光电转换效应，提出了对硅进行氢等离子体处理而将硅原子的悬空键(dangling bond)进行钝化处理的方法。为了用氢等离子体处理硅，需要将硅加热至规定温度以上。为此，以往利用设置在进行等离子体エ艺的腔室外部或内部的加热器来加热硅，然而，最近为了尽可能节约本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金秀雄，李庆镐，郑淳彬，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：
国别省市：