微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在不锈钢基板上沉积银Ag薄膜和氧化锌ZnO薄膜；在所述ZnO薄膜表面沉积掺P的负电极层；在所述负电极层表面沉积微晶硅薄膜；在此过程中掺入微量的B或Ga或In；在所述微晶硅层表面沉积掺B的正电极层；在所述正电极层表面沉积透明导电氧化物TCO薄膜。本发明专利技术的微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，通过控制氧杂质的含量，能够进一步提高微晶硅薄膜电池光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及ー种。
技术介绍
微晶硅薄膜太阳能电池对于提高硅基薄膜太阳能电池的光电转换效率具有重要的作用。与非晶硅相比，微晶硅具有更小的光学带隙、稳定的光学和电学性能，使得微晶硅薄膜电池能更多的吸收太阳光线，获得更高的光电转换效率。将微晶硅电池与非晶硅电池结合，制备非晶硅/微晶硅双结、非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结、非晶硅/微晶硅/微晶硅三结结构的叠层电池，可以获得光电效率高于12 %的高性能的硅基薄膜太阳能电池。 目前，微晶硅薄膜电池的发展和应用最关键的两个技术问题在于高速均匀沉积和高的光电转换效率。硅基薄膜电池现有的光电转换效率在9-10%，远低于晶硅电池的转换效率，硅基薄膜电池的发展和广泛应用需要进ー步提升电池的光电转换效率。在诸多限制硅基薄膜电池光电转换效率的因素中，微晶硅薄膜电池的内部缺陷的形成是目前实验发现中，影响最重要的ー个。在实验和生产中，微晶硅薄膜电池均在特定的真空设备中进行制备，由于目前设备技术的限制，在制备的过程中不可避免地产生空气向真空设备内的泄入，从而使制得的微晶硅薄膜中引入了氧和氮等杂质。这些杂质形成一定的缺陷，降低了微晶硅薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微晶硅薄膜太阳能电池的制造方法，包括：在不锈钢基板上沉积银Ag薄膜和氧化锌ZnO薄膜；在所述ZnO薄膜表面沉积掺P的负电极层；在所述负电极层表面沉积微晶硅薄膜；在此过程中掺入微量的B或Ga或In；在所述微晶硅层表面沉积掺B的正电极层；在所述正电极层表面沉积透明导电氧化物TCO薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张津燕，胡安红，徐希翔，李沅民，单洪青，
申请(专利权)人：福建铂阳精工设备有限公司，
类型：发明
国别省市：