硅片表面钝化方法技术

硅片表面钝化方法，涉及太阳能光伏硅片检测技术领域，包括：将清洗后的硅片放入化学抛光液中，进行化学抛光以去除硅片表面损伤层，其中抛光液的配比为氢氟酸：硝酸=1:3～6；2～5分钟后从抛光液中取出用去离子水漂洗干净；将抛光后的硅片放入塑料自封袋中，用滴管吸取配制好的钝化液滴入装有硅片的自封袋中，同时将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，其中钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50～100ml；10～20分钟后放入WT－2000少子寿命测试仪中进行测试，少子寿命会有明显提升。本发明专利技术的有益效果是：解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，硅片表面钝化可以有效地降低表面少子寿命复合率，少子寿命提高10～30倍，真实的反应出硅片的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能光伏硅片测试领域，具体涉及一种硅片表面钝化的方法及钝化液的配制。
技术介绍
少子寿命是表征硅晶体质量的主要参数之一，使用WT - 2000微波光电导衰减法(U - PCD)测得的硅片的少子寿命是有效少子寿命，它包含两部分体复合寿命和表面复合寿命。当硅片很薄时，表面复合寿命要远远 小于体复合寿命，此时测得的有效寿命近似等于表面复合寿命，因此表面复合对少子寿命的影响很大。生产时由于娃片表面的氧化层和杂质的影响，表面复合速率如果大于10cm/s，所测得的有效寿命就会与体寿命偏差很大，对质量判定产生影响。为了降低硅片表面的复合率，使测试的有效寿命趋向于体寿命，需要对测试的硅片进行表面钝化，以减少表面复合对有效寿命的影响。
技术实现思路
本专利技术提供了一种，解决了硅片少子寿命测量误差偏大导致质量误判的问题，进行少子寿命测试，可真实的反应出硅片的质量。本专利技术的目的是通过以下方案实现的 ，其特征在于，包括以下步骤a将清洗后的硅片放入化学抛光液中进行化学抛光2 5分钟，去除表面损伤层；其中，所述抛光液配比为氢氟酸硝酸=1:3 6，所述氢氟酸浓度为38 50% ;硝酸浓度为5本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：a将清洗后的硅片放入化学抛光液中进行化学抛光2～5分钟，去除表面损伤层；其中，所述抛光液配比为氢氟酸：硝酸=1:3～6，所述氢氟酸浓度为38～50%；硝酸浓度为55～70%；b漂洗干净；所述漂洗指用去离子水进行漂洗；c装入塑料自封袋，将配制好的钝化液用滴管慢慢滴入塑料袋中进行钝化，钝化时间为10～20分钟；所述钝化液的配比为高纯固体碘：无水酒精=1g：50～100ml；固体碘的纯度为99.5～99.9%；d将钝化液均匀地滩涂在硅片表面，放入WT－2000中进行少子寿命测试。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞柱，孙志刚，刘茂华，韩子强，石坚，王俊涛，熊涛涛，
申请(专利权)人：安阳市凤凰光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：