太阳能电池的制造方法技术

一种太阳能电池的制造方法，用于制造铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，其改良主要在于：在制作一层铜铟镓硒的p型半导体层时，必需先依序形成一层由铜铟镓制成的第一合金层、一层硒薄膜层以及一层由铜铟镓制成的第二合金层，接着再进行硒化处理，使所述两合金层及该硒薄膜层化合成为该p型半导体层。通过上下设置的所述两合金层将该硒薄膜层夹设在中间，使硒材料无论往上扩散或往下扩散，都可以与铜铟镓合金反应而达到硒化目的，因此制作出的p型半导体层的材料组成比例与预定比例相同或较接近，使电池有良好品质与转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜。
技术介绍
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池是以铜铟镓硒四元合金作为光吸收层，由于CIGS为直接能隙半导体，可以吸收较大范围波长的光线，并且具有高转换效率、稳定性佳，因此成为备受瞩目的太阳能电池。参阅图1，为一种已知CIGS太阳能电池,包含一基板11、一披覆在该基板11上的背电极12、一层由CIGS材料制成的P型吸收层13、一层η型的缓冲层14，以及一个由透明导电材料制成的顶电极15。在形成该CIGS吸收层13时，通常是先利用真空镀膜方式，将铜 铟镓等三种金属镀着在该背电极12的表面而形成一层三兀合金层，再于该三兀合金层表面镀着一层硒薄膜，透过高温硒化制程将该三元合金层硒化成为该CIGS的吸收层13。在硒化制程中，硒材料的用量是根据所欲形成的吸收层13中的材料组成比例而配置，但是当温度升高到200°C左右时，硒材料会朝任意方向扩散移动，而且硒材料的上方没有其它层体作为遮挡，因此只有部分的硒材料会向下进入该三元合金层中，其余的硒材料则是往上扩散，而可能以气态或其它形态存在于硒化制程所使用的腔体中，导致该吸收层13的硒含量未本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：步骤A：在一个基板上形成一个第一电极；步骤B：披覆一层由铜铟镓制成的第一合金层，在该第一合金层的表面披覆一层硒薄膜层，再于该硒薄膜层的表面披覆一层由铜铟镓制成的第二合金层；步骤C：进行硒化处理，使该第一合金层、第二合金层皆与该硒薄膜层反应而硒化，且该第一合金层、第二合金层及该硒薄膜层化合形成一层由铜铟镓硒制成的p型半导体层；步骤D：在该p型半导体层的表面形成一层n型半导体层；步骤E：在该n型半导体层的表面形成一个第二电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：简谷卫，陈庆荣，陈顺铭，李鸿昇，
申请(专利权)人：北儒精密股份有限公司，
类型：发明
国别省市：