制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法技术

在一种制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法中，提供基板；在所述基板上沉积透明导电氧化物的第一电极层。在第一时间间隔期间处理所述透明导电氧化物层的表面。之后在第二时间间隔期间在所处理的表面上沉积掺杂层。在包含气态掺杂物的气氛中执行对透明导电氧化物表面的处理，该气态掺杂物与在用于沉积掺杂层的所述气氛中包含的量不同。除此不同之外，用于执行对透明导电氧化物表面的处理的工艺与用于沉积掺杂层的工艺相同。然而，第一时间间隔比用于沉积掺杂层的时间间隔短得多。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及改善用于基于硅的薄膜太阳能电池或模块的制造工艺。更具体地，该专利技术涉及用于在薄膜硅太阳能电池及用于这样的薄膜硅太阳能电池的层结构中的所谓窗层的制造工艺。本专利技术更特别地涉及对在太阳能电池结构中的电极层的表面处理，该电极层包含透明导电氧化物(TCO)。
技术介绍
光伏器件、光电转换器件或太阳能电池是转换光，特别是将太阳光转换为直流(DC)电能的器件。对低成本大量生产而言，薄膜太阳能电池令人感兴趣，这是因其允许使用玻璃、玻璃陶瓷或其它刚性或柔性基板作为基底材料(基板)，以代替晶硅或多晶硅。该太阳能电池结构，即负责或能起光伏效应的该层序列沉积在薄层中。这沉积可发生在大气或 真空条件下。在本领域沉积技术诸如PVD、CVD, PECVD, APCVD...为人熟知，这些全都用在半导体技术中。太阳能电池的转换效率是对太阳能电池性能的常见量度，且其由输出功率密度(=开路电压V。。，填充因子FF及电流密度Jse的积)与1000W/m2的输入功率密度的比来确定。薄膜太阳能电池一般包含第一电极、一个或多个半导体薄膜p-i-n或n-i-p结,及第二电极，它们顺序堆叠在基板上。每个P-i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.09.18 US 61/243,6461.一种制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法，该太阳能电池包括 籲基板； 所述基板上的第一电极层，其包含透明导电氧化物； 所述第一电极层上的堆叠层，其包含正掺杂半导体层、本征半导体层及负掺杂半导体层以及第二电极层； 所述方法包含以下步骤 提供所述基板； 在所述基板上沉积所述第一电极层，该第一电极层包含所述透明导电氧化物并具有表面； 在第一时间间隔期间由第一真空处理工艺处理所述表面； 由在第二时间间隔期间在包含气态掺杂物的工艺气氛中执行的第二真空工艺在由所述第一真空处理工艺所处理的所述表面上沉积所述正掺杂层及所述负掺杂层之一； 在包含气态掺杂物的工艺气氛中执行所述第一真空处理工艺，该气态掺杂物与在所述第二真空工艺的所述气氛中包含的量不同，但是在其它方面执行与所述第二真空工艺相同的所述第一真空处理工艺，并选择比所述第二时间间隔短的所述第一时间间隔。2.如权利要求I的方法，其包含在包含SiH4及H2以及气态掺杂物的气氛中，作为真空等离子体处理工艺执行所述第一真空处理工艺，该气态掺杂物浓度介于存在于所述第二真空工艺的气氛中的气态掺杂物浓度的0%到80%之间，优选是介于0%到20%之间，由此，优选地由所述第二真空工艺沉积所述正掺杂半导体层。3.如权利要求I的方法，其包含由所述第二真空工艺沉积微晶氢化娃...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·拜拉特，E·瓦拉特绍瓦因，D·博雷洛，S·贝纳格利，
申请(专利权)人：欧瑞康太阳能股份公司特吕巴赫，
类型：
国别省市：