【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电探测领域，是一种新型紫外光探测器的制备方法。具体地说是一种对紫外光有明显响应的肖特基二极管光电装置。这种装备对紫外光敏感，可以广泛的应用与天文学，环境监测，分光和医学监测仪器等。
技术介绍
紫外探测技术已经成为继红外和激光探测技术之后世界各国关注的又一重要光电探测技术，在科研，军事，民用和许多工业领域具有广阔的应用前景。目前广泛使用的紫外探测器主要是硅基紫外光电管和光电倍增管，其技术工艺成熟，灵敏度高，但由于其材料本身的限制，存在耐高温性能差，高压工作易损坏和使用时需加滤波等缺点。宽禁带半导体 材料，如碳化硅、氮化镓、氧化锌和金刚石膜，具有带隙宽、临界击穿电场高和热导率高等特点，利用其制备紫外光电探测器件的出现推动了紫外探测技术的发展。然而这些材料的制备成本高，工艺难度较大，对设备和加工条件的要求较为苛刻，还难以迅速在紫外光探测领域得到普及。二氧化钛是一种宽禁带半导体材料，锐钛矿结构的二氧化钛，其禁带宽度是3. 2eV，对可见光几乎不吸收，而在紫外部分具有很高的吸收率。此外，二氧化钛具有高的介电常数和折射率以及出色的物理和化学稳定性，加上...
【技术保护点】
一种以二氧化钛纳米管阵列为基体的紫外光探测器，其特征在于：所述紫外光探测器自下而上依次由钛片基底（1）、二氧化钛纳米管阵列（2）、绝缘层（3）和石墨烯薄膜（4）构成，在所述钛片基底（1）的下表面和所述石墨烯薄膜（4）的上表面分别设置有引出电极（5），所述引出电极（5）通过电流测量器（6）连接；所述绝缘层（3）为框形空心结构，所述石墨烯薄膜（4）与所述绝缘层（3）接触，所述石墨烯薄膜（4）与所述二氧化钛纳米管阵列（2）形成肖特基接触；所述引出电极（5）为银电极，所述引出电极（5）与所述石墨烯薄膜（4）形成欧姆接触，所述引出电极（5）与所述钛片基底（1）形成欧姆接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗林保，王铭正，曾龙辉，吕鹏，聂彪，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：
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