太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术是提供一种太阳能电池及其制造方法，其可提升抗电致衰退的能力且不影响太阳能电池效率。此太阳能电池包含光电转换基板、透明接面层、抗反射层及上电极层。光电转换基板具有上表面。透明接面层设置于光电转换基板的上表面上。抗反射层设置于透明接面层上。上电极层设置于透明接面层与抗反射层之中，且电性连接于光电转换基板的上表面上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种太阳能电池，特别是关于利用大气等离子法(Atmospheric-pressure plasma,AP-plasma)形成一种具有氧化物层的太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
根据国际电子电机委员会的规范(IEC 62804)，太阳能电池的电致衰退(potential induced degradation,PID)测试必须挂载在1000V，及温度60℃、湿度85％下测试96小时，其最终效率衰减需小于5％，方能通过测试。目前太阳能电池大多通过提升抗反射层的折射率，以达到提升太阳能电池的抗电致衰退的能力，然而此方法会降低0.1～0.3％的太阳能电池效率。因此，目前亟需一种新颖的太阳能电池及其制造方法，借以提升抗电致衰退的能力且不影响太阳能电池效率。
技术实现思路
有鉴于现有技术所面临的问题，本专利技术揭露一种新颖的太阳能电池及其制造方法，其可提升抗电致衰退的能力且不影响太阳能电池效率。本专利技术的一方面在于提供一种太阳能电池。此太阳能电池包含光电转换基板、透明接面层、抗反射层及上电极层。光电转换基板具有上表面。透明接面层设置于光电转换基板的上表面上。抗反射层设置于透明接面层上。上电极层设置于透明接面层与抗反射层之中，且电性连接于光电转换基板的上表面上。根据本专利技术的实施例，上述光电转换基板包含N型半导体层及P型半导体层。根据本专利技术的实施例，上述N型半导体层设置于P型半导体层上，且透明接面层设置于N型半导体层上。根据本专利技术的实施例，上述光电转换基板为硅基板。根据本专利技术的实施例，上述透明接面层为氧化物层。根据本专利技术的实施例，上述氧化物层为硅氧化物(SiOx)层。根据本专利技术的实施例，上述透明接面层的厚度为约0.1至5纳米。根据本专利技术的实施例，上述抗反射层的材料包含氮化硅(SiNx)。本专利技术的另一方面在于提供一种太阳能电池的制造方法。此制造方法包含：形成第一型半导体层于第二型半导体基板上；移除覆盖第二型半导体基板的边缘的第一型半导体层，且暴露第二型半导体基板的边缘；形成透明接面层于第一型半导体层上；以及形成抗反射层于透明接面层上。根据本专利技术的实施例，上述第一型半导体层为N型半导体层，且第二型半导体基板为P型半导体基板。根据本专利技术的实施例，上述形成第一型半导体层于第二型半导体基板上的方法包含蒸镀法、溅镀法、印刷法、化学气相沉积法或物理气相沉积法。根据本专利技术的实施例，上述移除覆盖第二型半导体基板的边缘的第一型半导体层的方法包含湿蚀刻法。根据本专利技术的实施例，上述形成透明接面层于第一型半导体层上是形成硅氧化物层于第一型半导体层上。根据本专利技术的实施例，上述形成透明接面层于第一型半导体层上的方法包含大气等离子法(Atmospheric-pressure plasma,AP-plasma)。根据本专利技术的实施例，上述在移除覆盖第二型半导体基板的边缘的第一型半导体层之后，直接利用大气等离子法，形成透明接面层于第一型半导体层上。根据本专利技术的实施例，上述形成抗反射层于透明接面层上是形成氮化硅层于透明接面层上。根据本专利技术的实施例，上述形成抗反射层于透明接面层上的方法包含蒸镀法、溅镀法、印刷法、化学气相沉积法或物理气相沉积法。附图说明图1是根据本专利技术的一实施例所绘示的一种太阳能电池的剖面图；以及图2A～图2D是根据本专利技术的一实施例所绘示的一种太阳能电池的制造方法的各阶段剖面图。具体实施方式接着以实施例并配合附图以详细说明本专利技术，在附图或描述中，相似或相同的部分是使用相同的符号或编号。在附图中，实施例的形状或厚度可能扩大，以简化或方便标示，而附图中元件的部分将以文字描述。可了解的是，未绘示或未描述的元件可为熟悉该项技艺者所知的各种样式。本文所使用的术语仅是用于描述特定实施例的目的且不意欲限制本专利技术。如本文所使用，单数形式\一\(a、an)及\该\(the)意欲亦包括复数形式，除非本文另有清楚地指示。应进一步了解，当在本说明书中使用时，术语\包含\(comprises及/或comprising)指定存在所述的特征、整数、步骤、运作、元件及/或组份，但并不排除存在或添加一或多个其它特征、整数、步骤、运作、元件、组份及/或其群组。本文参照为本专利技术的理想化实施例(及中间结构)的示意性说明的横截面说明来描述本专利技术的实施例。如此，吾人将预期偏离这些说明的形状的由于(例如)制造技术及/或容差的改变。因此，不应将本专利技术的实施例理解为限于本文所说明的特定区域形状，而将包括起因于(例如)制造的形状改变，且这些图中所说明的区域本质上为示意性的，且其形状不意欲说明设备的区域的实际形状且不意欲限制本专利技术的范畴。为解决现有技术所面临的问题，本专利技术揭露一种新颖的太阳能电池及其制造方法，其可提升抗电致衰退的能力且不影响太阳能电池效率。图1是根据本专利技术的一实施例所绘示的一种太阳能电池100的剖面图。在图1中，太阳能电池100包含光电转换基板110、透明接面层120、抗反射层130及上电极层140。光电转换基板110具有上表面110a。根据本专利技术的实施例，光电转换基板110包含N型半导体层114及P型半导体层112，如图1所示。根据本专利技术的实施例，光电转换基板110为硅基板。透明接面层120设置于光电转换基板110的上表面110a上。在图1中，N型半导体层114设置于P型半导体层112上，且透明接面层120设置于N型半导体层114上。根据本专利技术的实施例，透明接面层120为氧化物层。根据本专利技术的实施例，上述氧化物层为硅氧化物(SiOx)层。根据本专利技术的实施例，透明接面层120的厚度为约0.1至5纳米。抗反射层130设置于透明接面层120上。根据本专利技术的实施例，抗反射层
130的材料包含氮化硅(SiNx)。上电极层140设置于透明接面层120与抗反射层130之中，且电性连接于光电转换基板110的上表面110a上。图2A～图2D是根据本专利技术的一实施例所绘示的一种太阳能电池200的制造方法的各阶段剖面图。在图2A中，第一型半导体层214形成于第二型半导体基板212上。根据本专利技术的实施例，第一型半导体层214为N型半导体层，且第二型半导体基板212为P型半导体基板。根据本专利技术的实施例，第一型半导体层214形成于第二型半导体基板212上的方法包含蒸镀法、溅镀法、印刷法、化学气相沉积法或物理气相沉积法。在图2B中，移除2A图中覆盖于第二型半导体基板212的边缘212a的第一型半导体层214，且暴露第二型半导体基板212的边缘212a。根据本专利技术的实施例，移除覆盖于第二型半导体基板212的边缘212a的第一型半导体层214的方法包含湿蚀刻法。在图2C中，透明接面层220形成于第一型半导体层214上。根据本专利技术的实施例，透明接面层220形成于第一型半导体层214上是形成硅氧化物层于第一型半导体层214上。根据本专利技术的实施例，透明接面层220形成于第一型半导体层214上的方法包含大气等离子法(Atmospheric-pressure plasma,AP-plasma)。根据本专利技术的实施例，在移除覆盖第二型半导体基板212的边缘212a的第一型半导体层214之后，直接利用大气等离子法，形成透明接面层220于第一型半导体层214上。根据本专利技术的实施例，第一型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，包含：一光电转换基板，具有一上表面；一透明接面层，设置于该光电转换基板的该上表面上；一抗反射层，设置于该透明接面层上；以及一上电极层，设置于该透明接面层与该抗反射层之中，且电性连接于该光电转换基板的该上表面上。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：一光电转换基板，具有一上表面；一透明接面层，设置于该光电转换基板的该上表面上；一抗反射层，设置于该透明接面层上；以及一上电极层，设置于该透明接面层与该抗反射层之中，且电性连接于该光电转换基板的该上表面上。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该光电转换基板包含一N型半导体层及一P型半导体层。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该N型半导体层设置于该P型半导体层上，且该透明接面层设置于该N型半导体层上。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该光电转换基板为一硅基板。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该透明接面层为一氧化物层。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，该氧化物层为一硅氧化物层。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该透明接面层的厚度为0.1至5纳米。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该抗反射层的材料包含氮化硅。9.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：形成一第一型半导体层于一第二型半导体基板上；移除覆盖该第二型半导体基板的一边缘的该第一型半导体层，且暴露该第二型半导体基板的该边缘；形成一透明接面层于该第一型半导体层上；以及形成一抗反射层于该透明接面层上。10.根据权利要求9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖重期，蔡元傑，吴其隆，陈彦佑，邱彦凱，黄桂武，欧乃天，杨佩如，
申请(专利权)人：昱晶能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71