太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包含一基板、一第一掺杂层、一第二掺杂层、一钝化层及一合金层。该基板具有相对应的一第一表面与一第二表面。该第一掺杂层设置于该第一表面上，并包含一低掺杂区及一高掺杂区。该第二掺杂层设置于该第二表面上，并与该第一掺杂层的掺杂类型不同。该钝化层设置于该第一掺杂层上，并具有一钝化层开口，以裸露出该高掺杂区。该合金层设置于裸露的该高掺杂区上，其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度，且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。本发明专利技术可确保合金层形成的时候在欧姆接触区域的边缘不会发生射极层分流的现象，并避免合金层形成的时候在射极层剖面的边缘发生射极层分流的现象。

Solar cell and manufacturing method thereof

The invention discloses a solar cell and a manufacturing method thereof, wherein the solar cell comprises a base plate, a first doped layer, a second doped layer, a passivation layer and an alloy layer. The substrate has a first surface and a second surface. The first doped layer is disposed on the first surface and includes a low doping region and a high doping region. The second doped layer is disposed on the second surface and is different from the doping type of the first doped layer. The passivation layer is disposed on the first doped layer and has a passivation layer opening to expose the high doping region. The alloy layer is disposed on the exposed high doping region, wherein the width of the high doping region is greater than the width of the alloy layer, and the depth of the high doping region is greater than the depth of the low doping region. The invention can ensure that when the alloy layer is formed of an emitter layer shunt in ohmic contact to the edge of the area is not the phenomenon, and avoid the occurrence of alloy layer is formed when the emitter layer in shunt emitter layer section of the edge of the phenomenon.

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
本专利技术是有关于一种太阳能电池及其制造方法，且特别是有关于一种电镀太阳能电池及其制造方法，其合金层设置于高掺杂区上。
技术介绍
已知的硅晶太阳能电池结构，主要包含：一基板、一与该基板形成p-n接面的射极层、一位于该射极层上的抗反射层，以及用于传导电流的一正面电极与一背面电极。该正面电极包括至少一汇流电极(busbarelectrode)，及数个横向连接该汇流电极的指状电极(fingerelectrode)。在制作上，可利用电镀方式形成前述电极。进行电镀前，必须先于该抗反射层的适当部位开孔，使该射极层的部分表面露出，该抗反射层的开孔形状通常相当于电极形成后的形状。后续再以电镀方式制成电极。以电镀方式所制作的太阳能电池的电极通常以金属合金层作为最底层的欧姆接触层，接着再以电镀方式形成所需的电极。所述金属合金层是将金属透过高温退火的方式与其下的硅形成金属合金层，主要有两个好处，其一是可使欧姆接触特性获得提升，其二是可作为铜的扩散阻挡层，避免铜扩散至硅基板而形成载子复合中心。然而，金属合金层有时会产生射极层分流(emittershunting)的情况，进而导致太阳能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，其包含：一基板，具有相对应的一第一表面与一第二表面；一第一掺杂层，设置于该第一表面上，并包含一低掺杂区及一高掺杂区；一第二掺杂层，设置于该第二表面上，并与该第一掺杂层的掺杂类型不同；一第一钝化层，设置于该第一掺杂层上，并具有一第一钝化层开口，以裸露出该高掺杂区的至少一部分区域；以及一合金层，设置于裸露的该高掺杂区上，其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度，且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。

【技术特征摘要】
2015.12.16 TW 1041422291.一种太阳能电池，其特征在于，其包含：一基板，具有相对应的一第一表面与一第二表面；一第一掺杂层，设置于该第一表面上，并包含一低掺杂区及一高掺杂区；一第二掺杂层，设置于该第二表面上，并与该第一掺杂层的掺杂类型不同；一第一钝化层，设置于该第一掺杂层上，并具有一第一钝化层开口，以裸露出该高掺杂区的至少一部分区域；以及一合金层，设置于裸露的该高掺杂区上，其中该高掺杂区的宽度大于该合金层的宽度，且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该高掺杂区的宽度小于该合金层宽度的四倍。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该高掺杂区的深度小于该低掺杂区深度的三倍。4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包含一第二钝化层，其中该第二钝化层设置于该第二掺杂层上。5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，更包含依序由一种子层、一导电层与一保护层叠置在该合金层上的一传导层，其中该导电层的宽度不小于该种子层的宽度。6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，该合金层为一硅化镍层，以及该传导层由镍...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘书岩，王建峻，
申请(专利权)人：茂迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71