形成背接触太阳能电池发射极的方法技术

本发明专利技术描述了形成背接触太阳能电池的发射极的方法。在一个实施例中，一个方法包括在基板上方形成第一固态掺杂剂源。所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域。通过印刷而在所述基板上方形成第二固态掺杂剂源的区域。

Method for forming emitter of back contact solar cell

A method of forming an emitter of a back contact solar cell is described. In one embodiment, a method includes forming a first solid dopant source over a substrate. The first solid dopant source includes a plurality of regions separated by gaps. A region of second solid dopant source formed above the substrate by printing.

【技术实现步骤摘要】
形成背接触太阳能电池发射极的方法本申请是基于申请日为2012年2月15日、申请号为201280020157.X(国际申请号为PCT/US2012/025264)、专利技术创造名称为“形成背接触太阳能电池发射极的方法”的中国专利申请的分案申请。相关专利申请的交叉引用本申请要求于2011年4月25日提交的美国临时申请No.61/478,804的权益，该临时申请的全部内容据此以引用方式并入本文。政府许可权利的声明本文所述的专利技术得到美国政府支持，在美国能源部授予的第DE-FC36-07GO17043号合同下完成。美国政府在本专利技术中可享有某些权利。
本专利技术的实施例属于可再生能源领域，具体地讲是形成背接触太阳能电池发射极的方法。
技术介绍
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于直接转化太阳辐射为电能的器件。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而将太阳能电池制造在半导体晶片或基板上。投射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区域，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成背接触太阳能电池发射极的方法，所述方法包括：通过化学气相沉积在基板上方形成第一导电类型的第一固态掺杂剂源，所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域；通过印刷而在所述基板上方在所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域的所述间隙中形成不与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域接触的第二导电类型的第二固态掺杂剂源的区域，其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；在形成所述第一固态掺杂剂源之前，在所述基板上形成薄介质层；以及在所述薄介质层上形成多晶硅层，其中所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源在所述多晶硅层上形成。

【技术特征摘要】
2011.04.25 US 61/478,804;2012.02.13 US 13/372,2351.一种形成背接触太阳能电池发射极的方法，所述方法包括：通过化学气相沉积在基板上方形成第一导电类型的第一固态掺杂剂源，所述第一固态掺杂剂源包括通过间隙分开的多个区域；通过印刷而在所述基板上方在所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域的所述间隙中形成不与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域接触的第二导电类型的第二固态掺杂剂源的区域，其中所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；在形成所述第一固态掺杂剂源之前，在所述基板上形成薄介质层；以及在所述薄介质层上形成多晶硅层，其中所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源在所述多晶硅层上形成。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第二固态掺杂剂源的所述区域与所述第一固态掺杂剂源的所述多个区域之间形成部分地处于所述基板中的沟槽。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：加热所述基板以驱入所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源中的掺杂剂，其中所述加热使所述第二固态掺杂剂源硬化。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在形成所述沟槽以及在所述加热之后，对所述沟槽所暴露出的所述基板部分进行纹理化，其中硬化的所述第二固态掺杂剂源在所述纹理化期间用作掩模。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：加热所述基板以将所述第一固态掺杂剂源和所述第二固态掺杂剂源中的掺杂剂驱入所述多晶硅层。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板为块体结晶硅基板。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二固态掺杂剂源包含旋涂玻璃前体材料或纳米颗粒材料。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型，并且所述第一固态掺杂剂源包含硼硅酸盐玻璃(BSG)。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型，并且所述第一固态掺杂剂源包含磷硅酸盐玻璃(PSG)。10.一种根据权利要求1所述的方法制造的太阳能电池。11.一种形成太阳能电池发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，彼得·J·库西宁，大卫·D·史密斯，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国,US