太阳能电池及制造太阳能电池的方法技术

本发明专利技术揭露一种太阳能电池及制造太阳能电池的方法。太阳能电池包含：半导体基板、入光面、射极层和电极。入光面具有多个金字塔形结构，各个金字塔形结构包含一顶端且任两相邻的金字塔形结构间具有一谷部。谷部具有一曲率半径介于25～500nm。射极层位于该半导体基板内且靠近入光面。电极位于半导体基板上。此种太阳能电池能减少金属杂质残留以提升光电转换效率以及开路电压。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及制造太阳能电池的方法
本专利技术是有关一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
在太阳能电池领域中，为使入射光能够多重反射、多重利用，受光面积增大，使光线被吸收机会增加，太阳电池表面粗糙结构化(texture)设计已是必然步骤。太阳能电池会经由粗糙化蚀刻在入光面形成大小不一的金字塔形状，目的是为了增加光的有效路径增加，进而增加太阳光的吸收率。在粗糙化蚀刻过程中，因为蚀刻液会对硅晶片(100)表面进行蚀刻，进而暴露出(111)的截面，产生金字塔形结构。然而，各金字塔形结构的底部之间形成的谷部若太小，则残留在谷部的金属杂质在后续清洗制程中不易清洗干净，进而影响太阳能电池的开路电压与光电转换效能。
技术实现思路
根据本专利技术的多个实施方式，是提供一种太阳能电池，包含：一半导体基板，具有一入光面，入光面具有多个金字塔形结构，其中各个金字塔形结构包含一顶端，任两相邻的所述金字塔形结构间具有一谷部，谷部具有一曲率半径介于25～500nm；一射极层，位于该半导体基板内且靠近该入光面；以及一电极，位于该半导体基板上。在某些实施方式中，太阳能电池为异质接面太阳能电池(Hetero-Juncti本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一入光面，该入光面具有多个凸起结构，其中各该凸起结构包含一顶端120，任两相邻的所述凸起结构间具有一谷部，该谷部具有一曲率半径介于25～500nm；一射极层，位于该半导体基板内且靠近该入光面；以及一电极，位于该半导体基板上。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一入光面，该入光面具有多个凸起结构，其中各该凸起结构包含一顶端120，任两相邻的所述凸起结构间具有一谷部，该谷部具有一曲率半径介于25～500nm；一射极层，位于该半导体基板内且靠近该入光面；以及一电极，位于该半导体基板上。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池为异质接面太阳能电池，且该射极层为硼的P型掺杂。3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，还包含一反射层，覆盖在该射极层上。4.一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，包含：提供一半导体基板，该半导体基板具有一制程面；在该制程面上进行粗糙化蚀刻形成多个凸起结构，其中任两相邻的所述凸起结构间具有一谷部；氧化所述凸起结构的表面以形成一氧化层，使各该谷部未被氧化的部...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈易聪，童智圣，蔡惟鼎，廖重期，邱彦凱，林纲正，黄桂武，
申请(专利权)人：昱晶能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71