硅片的制绒酸洗的方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片的制绒酸洗的方法。该方法包括使硅片依次经过下述步骤处理：预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。应用本发明专利技术的技术方案，硅片的制绒酸洗的方法只需添加一个酸槽，采用两步酸洗工艺，就可以有效的提高酸槽的使用寿命，并且能够有效地降低由于硅片表面的杂质清除不彻底造成的单晶N型电池的漏电流问题，从而提高硅片的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制备
，具体而言，涉及ー种。
技术介绍
单晶N型电池由于具有光致零衰减的优点，在各类电池中有着举足轻重的地位，但其制备エ艺复杂，并且对电池表面的杂质有着严格的要求。如图I所示，现有技术中硅片的制绒酸洗方法通常包括预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。其中，制绒エ序为单晶N型 电池制备的ー个化学エ序。通常是利用碱溶液(KOH/NaOH溶液)对单晶硅(Si)的各向异性腐蚀特性在单晶硅表面生成表面组织化结构，如金字塔结构、倒金字塔结构，从而在Si片表面形成陷光结构，减小娃片表面光的反射。但是娃片经过制绒エ序后表面会含有大量的金属离子、氧化物、碱残留等，除去这些杂质尤为重要。目前，制绒后通常通过酸洗エ艺去除上述杂质，而酸洗エ艺大都采用HF/HC1酸洗エ艺，所用HF浓度为5%左右，HCl浓度为8%左右，通过ー步酸溶液清洗同时去除硅片表面的杂质及氧化物。因为，HCl中的氯离子可以除去金属离子，HF可以还原硅片表面的氧化物。但是，此种方法对氧化层及碱残留的去除不太彻底，从而影响电池的电性能參数；另外，仅仅进行这ー步酸洗容易本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片的制绒酸洗的方法，其特征在于，所述硅片依次经过下述步骤处理：预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭延岭，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：