硅片的制绒酸洗的方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片的制绒酸洗的方法。该方法包括使硅片依次经过下述步骤处理：预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。应用本发明专利技术的技术方案，硅片的制绒酸洗的方法只需添加一个酸槽，采用两步酸洗工艺，就可以有效的提高酸槽的使用寿命，并且能够有效地降低由于硅片表面的杂质清除不彻底造成的单晶N型电池的漏电流问题，从而提高硅片的合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制备
，具体而言，涉及ー种。
技术介绍
单晶N型电池由于具有光致零衰减的优点，在各类电池中有着举足轻重的地位，但其制备エ艺复杂，并且对电池表面的杂质有着严格的要求。如图I所示，现有技术中硅片的制绒酸洗方法通常包括预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。其中，制绒エ序为单晶N型 电池制备的ー个化学エ序。通常是利用碱溶液(KOH/NaOH溶液)对单晶硅(Si)的各向异性腐蚀特性在单晶硅表面生成表面组织化结构，如金字塔结构、倒金字塔结构，从而在Si片表面形成陷光结构，减小娃片表面光的反射。但是娃片经过制绒エ序后表面会含有大量的金属离子、氧化物、碱残留等，除去这些杂质尤为重要。目前，制绒后通常通过酸洗エ艺去除上述杂质，而酸洗エ艺大都采用HF/HC1酸洗エ艺，所用HF浓度为5%左右，HCl浓度为8%左右，通过ー步酸溶液清洗同时去除硅片表面的杂质及氧化物。因为，HCl中的氯离子可以除去金属离子，HF可以还原硅片表面的氧化物。但是，此种方法对氧化层及碱残留的去除不太彻底，从而影响电池的电性能參数；另外，仅仅进行这ー步酸洗容易引入氯离子，会在后续扩散エ艺中造成影响。
技术实现思路
本专利技术g在提供一种，以解决现有技术中酸洗对氧化层及碱残留的去除不太彻底的技术问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的ー个方面，提供了一种。该方法包括硅片依次经过下述步骤处理预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。进ー步地，第一次酸洗包括采用含有8 12wt%HCl和f 2wt%HF的混合酸溶液或含有8 12wt%HCl酸溶液浸泡硅片，浸泡时间为3飞分钟。进ー步地，混合酸溶液中含有10wt%的HCl和2wt%的HF。进ー步地,第二次酸洗包括采用含有3 5wt%HF的酸溶液浸泡娃片,浸泡时间为3 5分钟。进ー步地，酸溶液中含有4wt%HF。 进ー步地，预清洗步骤包括将硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5飞分钟。进ー步地，第一次水洗步骤包括将硅片在30°C的水中清洗3. 5飞分钟；第二次水洗步骤包括将硅片在30°C的水中清洗6. 5^10分钟；第三次水洗步骤包括将硅片在30°C的水中清洗3飞分钟。进ー步地，碱制绒步骤包括将硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%异丙醇的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5飞分钟。进ー步地，慢提拉步骤中温度为60°C，时间为3飞分钟。进ー步地，烘干步骤中温度为6(T70°C，时间为7 10分钟。应用本专利技术的技术方案，只需添加一个酸槽，采用两步酸洗エ艺，就可以有效的提高酸槽的使用寿命，并且能够有效地降低由于硅片表面的杂质清除不彻底造成的单晶N型电池的漏电流问题，从而提高硅片的合格率。附图说明说明书附图用来提供对本专利技术的进ー步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中 图I示出了现有技术中硅片的制绒酸洗方法的流程图；以及图2示出了根据本专利技术实施例的硅片的制绒酸洗方法的流程图。具体实施例方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将參考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。根据本专利技术ー种典型的实施方式，如图2所示，包括硅片依次经过下述步骤处理预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。应用本专利技术的技术方案，只需添加一个酸槽，采用两步酸洗エ艺，就可以有效的提高酸槽的使用寿命，并且能够有效地降低由于硅片表面的杂质清除不彻底造成的单晶N型电池的漏电流问题，从而提高硅片的合格率。根据本专利技术ー种典型的实施方式，第一次酸洗可以采用含有8 12wt%的HCl酸溶液对硅片进行清洗，优选地，包括采用含有8 12wt%的HCl和f 2wt%HF的混合酸溶液浸泡娃片，浸泡时间为3、分钟。这样一方面可以对娃片表面的金属离子进行清洗，另一方可以有效地去除硅片表面的碱残留和氧化物。优选地，混合酸溶液中含有10wt%的HCl和2wt%HF。第二次酸洗包括采用含有:T5wt%HF的酸溶液浸泡硅片，浸泡时间为Γ5分钟。这样可以进ー步清洗掉硅片表面的杂质、氧化物、碱残留，从而保证硅片表面无任何杂质及残留，为后续扩散エ序提供洁净的制绒片。优选地，酸溶液中含有4wt%HF。根据本专利技术ー种典型的实施方式，预清洗步骤包括将硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5飞分钟。第一次水洗步骤包括将硅片在30°C的水中清洗3. 5飞分钟；第二次水洗步骤包括将硅片在30°C的水中清洗6. 5 10分钟；第三次水洗步骤包括将硅片在30°C的水中清洗Γ5分钟。碱制绒步骤包括将硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%异丙醇的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5飞分钟。慢提拉步骤中温度为60°C，时间为3飞分钟。烘干步骤中温度为6(T70°C，时间为7 10分钟。以下通过实施例进ー步说明本专利技术的有益效果。实施例II)预清洗将硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5分钟；2)第一次水洗将硅片在30°C的水中清洗3. 5分钟；3)碱制绒将硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%异丙醇的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5分钟；4)第二次水洗将硅片在30°C的水中清洗6. 5分钟；5)第一次酸洗采用含有8wt%的HCl和2wt%HF的混合酸溶液浸泡硅片，浸泡时间为3 5分钟；6)第二次酸洗采用含有3wt%HF的酸溶液浸泡硅片，浸泡时间为5分钟；7)第三次水洗将硅片在30°C的水中清洗3分钟； 8)慢提拉温度为60°C，时间为5分钟；9)烘干温度为60°C，时间为7分钟。硅片合格率95%。实施例2I)预清洗将硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5飞分钟；2)第一次水洗将硅片在30°C的水中清洗5分钟；3)碱制绒将硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%异丙醇的溶液中，在58°C的温度条件下处理5分钟；4)第二次水洗将硅片在30°C的水中清洗10分钟；5)第一次酸洗采用含有12wt%的HCl和lwt%HF的混合酸溶液浸泡硅片，浸泡时间为3 5分钟；6)第二次酸洗采用含有5wt%HF的酸溶液浸泡硅片，浸泡时间为3分钟；7)第三次水洗将硅片在30°C的水中清洗5分钟；8)慢提拉温度为60°C，时间为5分钟；9)烘干温度为70°C，时间为10分钟。硅片合格率94%。实施例3I)预清洗将硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的温度条件下处理4分钟；2)第一次水洗将硅片在30°C的水中清洗4分钟；3)碱制绒将硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%异丙醇的溶液中，在58°C的温度条件下处理3. 5飞分钟；4)第二次水洗将硅片在30°C的水中清洗8分钟；5)第一次酸洗采用含有10wt%的HCl本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片的制绒酸洗的方法，其特征在于，所述硅片依次经过下述步骤处理：预清洗、第一次水洗、碱制绒、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭延岭，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：