【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域,特别涉及一种黑硅电池片的制备方法、采用该制备方法制得的黑硅电池片及包含上述黑硅电池片的黑硅光伏组件。
技术介绍
黑硅是指在晶硅材料表面形成一层纳米量级的微结构组织,能陷住更多可见光,外观为黑色的新型材料。当前,为了降低生产成本,硅片薄片化成为晶体硅太阳能电池的发展趋势之一。随着硅片变薄,对光吸收和钝化的要求非常严格,特别是在钝化效果较好时,光吸收就成为了制约电池效率提升的关键因素。因此,需要最大限度地增加硅基体对光线的吸收以提高太阳能电池的转换效率。近年来,“黑硅”材料优异的陷光性能引起了光伏业界的广泛关注。目前,黑硅的制备方法主要有飞秒激光法、电化学腐蚀法、金属辅助化学腐蚀法。虽然与普通制绒方式相比,反射率有所降低,但是反射率还是偏高;制备出的太阳能组件的CTM偏低。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术的目的是提供一种黑硅电池片的制备方法及其制得的黑硅电池片及包括该黑硅电池片的黑硅光伏组件,在黑硅电池片的表面形成周期性减反射结构,绒面面结构规则,黑硅电池片的反射率低,制得的黑硅光伏组件的CTM高。为解决上述技术问题,本专利技术采用的一种技术方案为:一种黑硅电池片的制备方法,依次包括如下步骤:S1、用酸溶液对硅片制绒;S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜,所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元,各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形;S3、选择性地对所述硅片进行RIE干法制绒;S4、去除掩膜。优选地,步骤S2中,通过丝网印 ...
【技术保护点】
一种黑硅电池片的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:S1、用酸溶液对硅片制绒;S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜,所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元,各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形;S3、选择性地对所述硅片进行RIE干法制绒;S4、去除掩膜。
【技术特征摘要】
1.一种黑硅电池片的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:
S1、用酸溶液对硅片制绒;
S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜,所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元,各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形;
S3、选择性地对所述硅片进行RIE干法制绒;
S4、去除掩膜。
2.根据权利要求1所述的黑硅电池片的制备方法,其特征在于:步骤S2中,通过丝网印刷或喷墨打印在所述硅片的表面上形成所述掩膜。
3.根据权利要求1所述的黑硅电池片的制备方法,其特征在于:步骤S2中,所述掩...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏青竹,汪燕玲,连维飞,倪志春,
申请(专利权)人:中利腾晖光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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