一种黑硅结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种制造黑硅结构的方法，包括：获取P型硅衬底；在P型硅衬底上形成黑硅层；在黑硅层中掺入受主杂质，形成掺杂的黑硅层。本发明专利技术的实施例中，制成的黑体结构对可见光以及近红外光波段有良好的吸收性能、噪声电流低、信噪比高、并且操作简单、成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光敏材料
，尤其是涉及。
技术介绍
晶体硅由于易提纯、易掺杂、耐高温等优点在半导体行业中具有非常广泛的应用，但同样也存在很多缺陷，如晶体硅表面对可见-红外光的反射很高，而且因为禁带宽度大，晶体娃不能吸收波长大于IlOOnm的光波，当入射光的波长大于IlOOnm时,娃探测器对光的 吸收率和响应率将大大降低。在探测这些波段时必须使用锗、砷化镓铟等其他材料。由于这些材料的价格昂贵、热力学性能和晶体质量较差以及不能与现有的成熟的硅工艺兼容等缺点而限制了其在硅基器件方面的应用。因此，减少晶体硅表面的反射、扩展硅基和硅兼容光电探测器的探测波段仍然是目前最热门的研究。为了减少晶体硅表面的反射，人们采用了许多实验方法和技术，如光刻技术、反应离子束刻蚀、电化学腐蚀等。这些技术都能在一定程度上改变晶体硅表面及近表面形貌，达到减少硅表面反射的目的。在可见光波段，减少反射可以增加吸收，提高器件的效率。但在波长超过IlOOnm时，如果不在硅禁带中引入吸收能级，反射减少仅仅导致透射增加，因为硅的禁带宽度最终限制了其对长波长光的吸收。因此，要扩展硅基和硅兼容器件的敏感波段，就必须在减少硅表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造黑硅结构的方法，其特征在于，包括：获取P型硅衬底；在所述P型硅衬底上形成黑硅层；在所述黑硅层中掺入受主杂质，形成掺杂的黑硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李世彬，张鹏，吴志明，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：